[發明專利]用于拋光藍寶石基板的組合物和拋光藍寶石基板的方法有效
| 申請號: | 201610324333.9 | 申請日: | 2016-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN107325735B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 徐沛紳;張添瑯;周乃天;黃新義 | 申請(專利權)人: | 臺灣永光化學工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;C09G1/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 拋光 藍寶石 組合 方法 | ||
本發明是有關于一種用于拋光藍寶石基板的研磨組合物和使用其拋光藍寶石基板的方法,其中本發明的研磨組合物包括:(A)5至50重量百分比的研磨粒子;(B)0.01至5重量百分比的含有下述通式(1)所表示的烷基胺結構化合物;以及(C)余量的水;其中,R1、R2、R3是如說明書中所定義。當應用本發明的研磨組合物拋光藍寶石基板時,可改善于拋光工藝的拋光速率,并提升經拋光的基板的表面質量。
技術領域
本發明是關于一種用于拋光的研磨組合物及使用其的拋光方法,尤指一種適用于藍寶石拋光工藝的研磨組合物,以及使用其的藍寶石拋光方法。
背景技術
半導體基板的工藝中,需先行提供一平坦的基板表面,如硅晶圓或藍寶石基板,以利進行后續的工藝。目前大多利用拋光工藝或化學機械研磨工藝(chemical mechanicalpolishing)以提供大面積基板表面全面性的平坦化。
藍寶石為氧化鋁(Al2O3)單晶材料的通用術語。藍寶石具有極好的化學穩定性、光學透明性及理想的機械性能,例如抗碎裂性、耐久性、抗劃傷性、抗輻射性、砷化鎵熱膨脹系數的良好匹配性及在高溫下的撓曲強度。因此,藍寶石基板常使用作為光電組件的材料,如光學透射窗口、發光二極管、微電子集成電路應用的基板、或超導化合物及氮化鎵生長的基板等。
然而,藍寶石具有極高的硬度特性,其莫氏硬度高達9度,僅次于鉆石的硬度10度,故其平坦化的程序較佳地是借由拋光工藝以進行。
現有技術中的藍寶石拋光工藝包括不斷地將研磨漿料施加至待拋光的藍寶石晶圓表面,且同時用一旋轉式拋光墊對于研磨漿料施加的藍寶石晶圓表面進行拋光。一般而言,所使用的研磨漿料包括一溶劑、一研磨粒子。而在拋光工藝中,常會遭遇到如基板表面刮傷;或者因摩擦過熱而導致拋光墊脫膠等問題。一般而言,所使用的研磨漿料是由一溶劑及一研磨粒子所組成,而為了解決上述拋光工藝的問題,常會于研磨漿料中添加不同的界面活性劑、吸熱劑、或分散劑等。
在研磨過程中,常會遭遇到拋光漿料無法同時具有高移除率并維持表面質量的特性,因此,在研磨工藝中所使用的研磨漿料是不斷地改良以解決上述的問題,并進一步地改善研磨速率以及產品的合格率。
發明內容
為了在藍寶石拋光工藝后,使得所使用的研磨漿料具有高移除率并維持研磨后藍寶石基板的表面質量,本發明提供了一種新穎的用于拋光藍寶石基板的研磨組合物,其可包括:(A)5至50重量百分比的研磨粒子;(B)0.01至5重量百分比的含有下述通式(1)所表示的烷基胺結構化合物;
其中,R1、R2及R3各自獨立地為C1-C20烷基、氧基伸乙基聚合結構、氧基伸丙基聚合結構、或氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結構,而R1、R2及R3至少任兩個是氧基伸乙基聚合結構、氧基伸丙基聚合結構、或氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結構,上述氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結構是由一乙二醇單體以及一丙二醇單體共聚而成一嵌段共聚物、或一隨機共聚物;以及(C)余量的水。
在本發明中,舉例而言,“氧基伸乙基聚合結構”的化學式可以-(EO)x-H表示,其中x代表氧基伸乙基的聚合度;“氧基伸丙基聚合結構”的化學式可以-(PO)y-H表示,其中y代表氧基伸丙基的聚合度;至于“氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結構”的化學式則可以-(EO)x-(PO)y-H表示,其中x及y分別代表氧基伸乙基及氧基伸丙基的聚合度。在此,x及y可分別為1或以上的整數,依據烷基胺結構化合物的分子量而定。
在本發明的一較佳實施態樣的研磨組合物中,該烷基胺結構化合物的含量可為0.01至5重量百分比,且較佳為0.01至1重量百分比。
此外,該烷基胺結構化合物的平均分子量為200至5000,較佳為300至2000。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣永光化學工業股份有限公司,未經臺灣永光化學工業股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610324333.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





