[發(fā)明專利]用于拋光藍(lán)寶石基板的組合物和拋光藍(lán)寶石基板的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610324333.9 | 申請日: | 2016-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN107325735B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐沛紳;張?zhí)憩?/a>;周乃天;黃新義 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣永光化學(xué)工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;C09G1/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 拋光 藍(lán)寶石 組合 方法 | ||
1.一種用于拋光藍(lán)寶石基板的研磨組合物,其特征在于,包括:
(A)5至50重量百分比的研磨粒子;
(B)0.01至5重量百分比的含有下述通式(1)所表示的化合物;
其中,R1、R2及R3各自獨(dú)立地為氧基伸乙基聚合結(jié)構(gòu)、氧基伸丙基聚合結(jié)構(gòu)、或氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結(jié)構(gòu),上述氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結(jié)構(gòu)是由一乙二醇單體以及一丙二醇單體共聚而成一嵌段共聚物、或一隨機(jī)共聚物;以及
(C)余量的水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該化合物的含量為0.01至1重量百分比。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該化合物的平均分子量為200至5000。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該化合物的平均分子量為300至2000。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨組合物,其特征在于,其中,在該氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結(jié)構(gòu)中,其氧基伸乙基與氧基伸丙基的質(zhì)量比為10:90~90:10。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的研磨組合物,其特征在于,其中,在該氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結(jié)構(gòu)中,其氧基伸乙基與氧基伸丙基的質(zhì)量比為70:30~90:10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該研磨粒子是至少一選自由氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈰及氧化鈦所組成的群組。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該研磨粒子是氧化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該研磨粒子的平均粒徑范圍為10納米至300納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該研磨組合物的酸堿值為7至11。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的研磨組合物,其特征在于,其中,該研磨組合物的酸堿值為8至10.5。
12.一種拋光藍(lán)寶石基板的方法,其特征在于,包括:
提供一研磨組合物,該研磨組合物包括:
(A)5至50重量百分比的研磨粒子;
(B)0.01至5重量百分比的含有下述通式(1)所表示的化合物;
其中,R1、R2及R3各自獨(dú)立地為氧基伸乙基聚合結(jié)構(gòu)、氧基伸丙基聚合結(jié)構(gòu)、或氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結(jié)構(gòu),上述氧基伸乙基及氧基伸丙基共聚物結(jié)構(gòu)是由一乙二醇單體以及一丙二醇單體共聚而成一嵌段共聚物、或一隨機(jī)共聚物;以及
(C)余量的水。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





