[發(fā)明專利]CMOS集成電路及工藝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610319217.8 | 申請日： | 2016-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN105762149B | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聶紀(jì)平;何軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海貝嶺股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人： | 薛琦;王聰 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cmos 集成電路 工藝 方法 | ||
1.一種CMOS集成電路，其特征在于，包括隔離結(jié)構(gòu)、NMOS和PMOS，所述隔離結(jié)構(gòu)設(shè)于所述NMOS和所述PMOS之間；
所述隔離結(jié)構(gòu)包括：
第一P型襯底；
高N阱，形成于所述第一P型襯底內(nèi)；
第一P阱，形成于所述高N阱內(nèi)；
依次排列的第一場氧化物、第一P型區(qū)、第二場氧化物、第二P型區(qū)、第三場氧化物、第三P型區(qū)和第四場氧化物，所述第一場氧化物、所述第一P型區(qū)、所述第三P型區(qū)和所述第四場氧化物形成于所述第一P型襯底上，所述第二P型區(qū)形成于所述第一P阱上，所述第二場氧化物和所述第三場氧化物形成于所述第一P型襯底、所述高N阱和所述第一P阱上；
所述NMOS包括：
第二P型襯底；
第二P阱，形成于所述第二P型襯底內(nèi)；
依次排列的第五場氧化物、第四P型區(qū)、第六場氧化物、第一N型+LDD區(qū)，所述第五場氧化物形成于所述第二P型襯底和所述第二P阱上，所述第四P型區(qū)、所述第六場氧化物和所述第一N型+LDD區(qū)形成于所述第二P阱上；
依次排列的第二N型+LDD區(qū)、第七場氧化物、第五P型區(qū)和第八場氧化物，所述第二N型+LDD區(qū)、所述第七場氧化物和所述第五P型區(qū)形成于所述第二P阱上，所述第八場氧化物形成于所述第二P型襯底和所述第二P阱上；
第一柵氧化層，形成于所述第二P阱的表面且位于所述第一N型+LDD區(qū)和第二N型+LDD區(qū)之間；
第一多晶區(qū)域，形成于所述第一柵氧化層上；
所述PMOS包括：
第三P型襯底；
第三P阱，形成于所述第三P型襯底內(nèi)；
依次排列的第九場氧化物、第六P型區(qū)、第十場氧化物、第一N型區(qū)、第一P型+LDD區(qū)，所述第九場氧化物和所述第六P型區(qū)形成于所述第三P型襯底上，所述第十場氧化物形成于所述第三P型襯底和所述第三P阱上，所述第一N型區(qū)和所述第一P型+LDD區(qū)形成于所述第三P阱上；
依次排列的第二P型+LDD區(qū)、第十一場氧化物、第七P型區(qū)和第十二場氧化物，所述第二P型+LDD區(qū)形成于所述第三P阱上，所述第十一場氧化物形成于所述第三P阱和所述第三P型襯底上，所述第七P型區(qū)和所述第十二場氧化物形成于所述第三P型襯底上；
第二柵氧化層，形成于所述第三P阱的表面且位于所述第一P型+LDD區(qū)和所述第二P型+LDD區(qū)之間；
第二晶區(qū)域，形成于所述第二柵氧化層上。
2.如權(quán)利要求1所述的CMOS集成電路，其特征在于，所述第一N型+LDD區(qū)與所述第二N型+LDD區(qū)之間的距離為1.5μm。
3.如權(quán)利要求1所述的CMOS集成電路，其特征在于，所述第一P型+LDD區(qū)與所述第二P型+LDD區(qū)之間的距離為1.9μm。
4.一種CMOS集成電路工藝方法，其特征在于，用于制作權(quán)利要求1-3中任意一項所述的CMOS集成電路，所述CMOS集成電路工藝方法包括：
P阱制作步驟；
有源區(qū)制作步驟；
場區(qū)制作步驟；
高阻制作步驟；
電容制作步驟；
柵氧化層制作步驟，包括調(diào)節(jié)注入；
多晶制作步驟；
NDD制作，PDD制作步驟，包括NDD，PDD推進(jìn)；
N+制作步驟，包括N+注入；
P+制作步驟；
BPSG和鈍化步驟。
5.如權(quán)利要求4所述的CMOS集成電路工藝方法，其特征在于，所述CMOS集成電路工藝方法的工藝條件為：
N+注入As：輻照能量為110kev，輻照的劑量范圍為6E15到6E17；
調(diào)節(jié)注入B：輻照能量為40kev，輻照的劑量范圍為5.5E11到5.7E11；
基區(qū)注入B：輻照能量為32.5kev，輻照的劑量范圍為4.5E13到5.5E13；
基區(qū)推進(jìn)：退火溫度為1100℃，時長為20～30分鐘；
NDD推進(jìn)：退火溫度為950℃，時長為30～60分鐘。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海貝嶺股份有限公司，未經(jīng)上海貝嶺股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610319217.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
