[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610318827.6
• 申請(qǐng)日: 2016-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN106782655B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳垓橓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/34
• 分類號(hào): G11C16/34
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其操作方法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括各自具有n個(gè)程序狀態(tài)中的一個(gè)作為目標(biāo)程序狀態(tài)的多個(gè)存儲(chǔ)單元，該操作方法包括：將具有第一組程序狀態(tài)作為目標(biāo)程序狀態(tài)的第一組存儲(chǔ)單元設(shè)置為程序允許模式；將具有第二組程序狀態(tài)作為目標(biāo)程序狀態(tài)的第二組存儲(chǔ)單元設(shè)置為程序禁止模式；按照程序狀態(tài)的級(jí)別的升序?qū)個(gè)程序狀態(tài)中的第i執(zhí)行程序操作和程序驗(yàn)證操作；以及在對(duì)第i程序狀態(tài)的程序驗(yàn)證操作成功后，將具有第i程序狀態(tài)的第一組存儲(chǔ)單元中的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元從程序允許模式改變?yōu)槌绦蚪鼓Ｊ剑覍⒕哂械?i+k)程序狀態(tài)的第二組存儲(chǔ)單元中的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元從程序禁止模式改變?yōu)槌绦蛟试S模式。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的一方面涉及一種電子設(shè)備，且更具體地，涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其操作方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置是通過使用半導(dǎo)體(例如，硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等)來實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)裝置。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中包括易失性存儲(chǔ)裝置和非易失性存儲(chǔ)裝置。

易失性存儲(chǔ)裝置是一種當(dāng)供電受阻時(shí)消除存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置。靜態(tài)RAM(SRAM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)被包括在易失性存儲(chǔ)裝置中。非易失性存儲(chǔ)裝置是一種當(dāng)供電受阻時(shí)保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置。只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除且可編程ROM(EEPROM)、閃存、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)被包括在非易失性存儲(chǔ)裝置中。閃存寬泛地分類為NOR類型和NAND類型。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種表現(xiàn)出改進(jìn)的可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其操作方法。

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作方法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元各自具有n個(gè)程序狀態(tài)中的一個(gè)作為目標(biāo)程序狀態(tài)，所述操作方法包括以下步驟：將第一組存儲(chǔ)單元設(shè)置為程序允許模式，所述第一組存儲(chǔ)單元具有第一組程序狀態(tài)作為所述目標(biāo)程序狀態(tài)；將第二組存儲(chǔ)單元設(shè)置為程序禁止模式，所述第二組存儲(chǔ)單元具有第二組程序狀態(tài)作為所述目標(biāo)程序狀態(tài)；按照所述程序狀態(tài)的級(jí)別的升序?qū)個(gè)程序狀態(tài)中的第i程序狀態(tài)執(zhí)行程序操作和程序驗(yàn)證操作；以及在對(duì)所述第i程序狀態(tài)執(zhí)行的所述程序驗(yàn)證操作成功后，將具有所述第i程序狀態(tài)的所述第一組存儲(chǔ)單元中的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元從所述程序允許模式改變?yōu)樗龀绦蚪鼓Ｊ剑⑶覍⒕哂械?i+k)程序狀態(tài)的所述第二組存儲(chǔ)單元中的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元從所述程序禁止模式改變?yōu)樗龀绦蛟试S模式。

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作方法，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元各自具有n個(gè)程序狀態(tài)中的一個(gè)作為目標(biāo)程序狀態(tài)，所述操作方法包括以下步驟：根據(jù)第一程序模式設(shè)置、第二程序模式設(shè)置以及第三程序模式設(shè)置中的一個(gè)來執(zhí)行對(duì)所述存儲(chǔ)單元的程序操作，直至滿足第一條件；根據(jù)第一程序模式設(shè)置、第二程序模式設(shè)置以及第三程序模式設(shè)置中的另一個(gè)來執(zhí)行對(duì)所述存儲(chǔ)單元的程序操作，直至滿足第二條件；以及根據(jù)第一程序模式設(shè)置、第二程序模式設(shè)置以及第三程序模式設(shè)置中的剩余一個(gè)來執(zhí)行對(duì)所述存儲(chǔ)單元的程序操作。

根據(jù)本公開的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元各自具有n個(gè)程序狀態(tài)中的一個(gè)作為目標(biāo)程序狀態(tài)；以及外圍電路，所述外圍電路被配置為執(zhí)行以下操作：將第一組存儲(chǔ)單元設(shè)置為程序允許模式，所述第一組存儲(chǔ)單元具有第一組程序狀態(tài)作為所述目標(biāo)程序狀態(tài)；將第二組存儲(chǔ)單元設(shè)置為程序禁止模式，所述第二組存儲(chǔ)單元具有第二組程序狀態(tài)作為所述目標(biāo)程序狀態(tài)；按照所述程序狀態(tài)的級(jí)別的升序?qū)個(gè)程序狀態(tài)中的第i執(zhí)行程序操作和程序驗(yàn)證操作；以及在對(duì)第i程序狀態(tài)的所述程序驗(yàn)證操作成功后，將具有所述第i程序狀態(tài)的所述第一組存儲(chǔ)單元中的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元從所述程序允許模式改變?yōu)樗龀绦蚪鼓Ｊ剑⑶覍⒕哂械?i+k)程序狀態(tài)的所述第二組存儲(chǔ)單元中的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)單元從所述程序禁止模式改變?yōu)樗龀绦蛟试S模式。