[發明專利]半導體存儲裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201610318827.6
• 申請日: 2016-05-13
• 公開（公告）號: CN106782655B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 吳垓橓
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體存儲裝置的操作方法，該半導體存儲裝置包括多個存儲單元，所述多個存儲單元各自具有n個程序狀態中的一個作為目標程序狀態，其中，所述操作方法包括多個程序循環，所述操作方法包括以下步驟：

在所述多個程序循環中的第m個程序循環中，

將第一組存儲單元設置為程序允許模式，所述第一組存儲單元將第一組程序狀態作為所述目標程序狀態；

將第二組存儲單元設置為程序禁止模式，所述第二組存儲單元將第二組程序狀態作為所述目標程序狀態；以及

按照所述程序狀態的級別的升序對n個程序狀態中的第i程序狀態執行程序操作和程序驗證操作，并且

在第（m+1）個程序循環中，在對所述第i程序狀態執行的所述程序驗證操作成功后，

將所述第一組存儲單元中的具有所述第i程序狀態的一個或更多個存儲單元從所述程序允許模式設置為所述程序禁止模式；以及

將所述第二組存儲單元中的具有第（i+k）程序狀態的一個或更多個存儲單元從所述程序禁止模式設置為所述程序允許模式，

其中，所述k是大于或等于2的整數，并且所述第一組程序狀態包括k個程序狀態。

2.根據權利要求1所述的操作方法，其中，執行所述程序操作的步驟包括：

向所述第一組存儲單元提供程序允許電壓；以及

向所述第二組存儲單元提供程序禁止電壓。

3.根據權利要求1所述的操作方法，其中，所述設置的步驟包括：

當具有所述第i程序狀態的所述存儲單元的閾值電壓達到所述第i程序狀態時，確定對所述第i程序狀態的所述程序驗證操作成功。

4.一種半導體存儲裝置的操作方法，該半導體存儲裝置包括多個存儲單元，所述多個存儲單元各自具有n個程序狀態中的一個作為目標程序狀態，所述操作方法包括以下步驟：

根據第一程序模式設置、第二程序模式設置以及第三程序模式設置中的一個來執行對所述存儲單元的程序操作，直至滿足第一條件；

根據所述第一程序模式設置、所述第二程序模式設置以及所述第三程序模式設置中的另一個來執行對所述存儲單元的程序操作，直至滿足第二條件；以及

根據所述第一程序模式設置、所述第二程序模式設置以及所述第三程序模式設置中的剩余一個來執行對所述存儲單元的程序操作，

其中，所述第一程序模式設置將具有第一程序狀態至第三程序狀態的目標程序狀態的所述存儲單元限定為程序允許模式，并且將具有第四程序狀態至第七程序狀態的目標程序狀態的所述存儲單元限定為程序禁止模式，

其中，所述第二程序模式設置將具有第一程序狀態、第二程序狀態、第六程序狀態和第七程序狀態的目標程序狀態的所述存儲單元限定為所述程序禁止模式，并且將具有第三程序狀態至第五程序狀態的目標程序狀態的所述存儲單元限定為所述程序允許模式，

其中，所述第三程序模式設置將具有第一程序狀態至第四程序狀態的目標程序狀態的所述存儲單元限定為所述程序禁止模式，并且將具有第五程序狀態至第七程序狀態的目標程序狀態的所述存儲單元限定為所述程序允許模式，

其中，所述第一條件是施加的程序脈沖的數量達到第一基準數量，并且

其中，所述第二條件是施加的程序脈沖的數量達到第二基準數量。

5.根據權利要求4所述的操作方法，其中，執行所述程序操作的步驟包括：

向所述程序允許模式的所述存儲單元提供程序允許電壓；以及

向程序禁止模式的所述存儲單元提供程序禁止電壓。