[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電膜及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610316066.0
• 申請(qǐng)日: 2016-05-13
• 公開（公告）號(hào): CN107369491A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昇印光電（昆山）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及導(dǎo)電膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種導(dǎo)電膜及制備方法。

背景技術(shù)

透明導(dǎo)電膜是一種既具有高的導(dǎo)電性，又對(duì)可見光有很好的透光性的優(yōu)良性能的導(dǎo)電膜，具有廣泛的應(yīng)用前景。近年來已經(jīng)成功應(yīng)用于液晶顯示器、觸控面板、電磁波防護(hù)、太陽能電池的透明電極透明表面發(fā)熱器及柔性發(fā)光器件等領(lǐng)域中。

傳統(tǒng)的觸摸屏一般采用摻錫氧化銦(Indium Tin Oxides，ITO)導(dǎo)電層。在制備ITO層時(shí)，總是不可避免的需要鍍膜，圖形化，電極銀引線制作。且在ITO圖形化的時(shí)候需要對(duì)ITO膜進(jìn)行蝕刻，這種傳統(tǒng)的制作流程復(fù)雜且冗長(zhǎng)，使導(dǎo)電層的導(dǎo)電性差，從而導(dǎo)致良品率不高。并且這種制作流程對(duì)工藝、設(shè)備要求較高，還在蝕刻中浪費(fèi)大量的ITO材料，以及產(chǎn)生大量的含重金屬的工業(yè)廢液。

金屬網(wǎng)導(dǎo)電膜技術(shù)的發(fā)展彌補(bǔ)了以上缺陷。金屬網(wǎng)導(dǎo)電膜引線電極一般采用比較小的網(wǎng)格狀設(shè)計(jì)，且網(wǎng)格線凹槽的深寬比與可視區(qū)透明電極的相同。其生產(chǎn)過程包括為先在基板上面涂布一層UV膠或壓印膠，然后將模具貼合在基板上，固化，最后脫模。然而，在模具和膠質(zhì)材料脫模的過程中，模具上會(huì)有膠質(zhì)材料的殘留，影響模具的使用，更會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)無法正常進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種導(dǎo)電膜及制備方法以解決以上所述的技術(shù)問題。

本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案是：

一種導(dǎo)電膜，包括：

承載體，所述承載體設(shè)有第一表面以及與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面；

導(dǎo)電區(qū)，所述承載體的第一表面開設(shè)有第一凹槽，且所述第一凹槽形成相互連通的網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格，所述相 互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格形成所述導(dǎo)電區(qū)；

引線區(qū)，所述承載體的第一表面開設(shè)有第二凹槽，所述第二凹槽中填充導(dǎo)電材料形成電極引線，所述電極引線形成所述引線區(qū)；所述電極引線與所述導(dǎo)電網(wǎng)格電性連接；

所述第一凹槽深度為m與第一凹槽寬度為n，m、n之比為A，所述第二凹槽深度為m與第二凹槽寬度為s，m、s之比為B；其中，B<A。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電區(qū)包括彼此絕緣的若干導(dǎo)電網(wǎng)格形成的若干導(dǎo)電通道，所述每個(gè)導(dǎo)電通道分別對(duì)應(yīng)電性連接所述電極引線。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，相鄰的所述導(dǎo)電通道之間設(shè)有配色區(qū)，所述配色區(qū)具有所述第一凹槽，且所述第一凹槽形成網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成配色區(qū)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B小于0.8。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B小于等于0.5。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一凹槽中填充的導(dǎo)電材料平均粒徑小于所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料平均粒徑。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述承載體為基底及設(shè)于所述基底上的基質(zhì)層，所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)；或，所述承載體為聚合物，所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述聚合物的第一表面。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述承載體的第二表面也設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)，所述導(dǎo)電網(wǎng)格和所述電極引線電性連接；或，所述承載體第一表面?zhèn)仍O(shè)有絕緣層，所述絕緣層遠(yuǎn)離第一表面的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)，所述導(dǎo)電網(wǎng)格和所述電極引線電性連接。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述基質(zhì)層以及聚合物為熱固性膠或光固化膠。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述填充導(dǎo)電材料選自金屬、金屬氧化物或有機(jī)導(dǎo)電材料中一種或幾種。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于500nm的導(dǎo)電材料及粒徑小于等于500nm的導(dǎo)電材料。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于等于800nm的導(dǎo)電材料及粒徑小于等于400nm的導(dǎo)電材料。

本發(fā)明還揭示一種導(dǎo)電膜制備方法，包括以下步驟：

S1、在承載體表面上開設(shè)第一凹槽以及第二凹槽，且所述第一凹槽形成相互連通的網(wǎng)格；

S2、使所述第一凹槽深度為m與第一凹槽寬度為n，m、n之比為A，所述第二凹槽深度為m與第二凹槽寬度為s，m、s之比為B，其中，B<A；

S3、在所述第一凹槽以及第二凹槽內(nèi)填充導(dǎo)電材料，所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格，所述相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格形成導(dǎo)電區(qū)；所述第二凹槽中填充導(dǎo)電材料形成電極引線，所述電極引線形成引線區(qū)；所述電極引線與所述導(dǎo)電網(wǎng)格之間電性連接。