[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電膜及制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610316066.0
• 申請日: 2016-05-13
• 公開（公告）號: CN107369491A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張健
• 申請（專利權(quán)）人: 昇印光電（昆山）股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種導(dǎo)電膜，包括：

承載體，所述承載體設(shè)有第一表面以及與第一表面相對設(shè)置的第二表面；

導(dǎo)電區(qū)，所述承載體的第一表面開設(shè)有第一凹槽，且所述第一凹槽形成相互連通的網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格，所述相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格形成所述導(dǎo)電區(qū)；

引線區(qū)，所述承載體的第一表面開設(shè)有第二凹槽，所述第二凹槽中填充導(dǎo)電材料形成電極引線，所述電極引線形成所述引線區(qū)；所述電極引線與所述導(dǎo)電網(wǎng)格電性連接；

所述第一凹槽深度為m與第一凹槽寬度為n，m、n之比為A，所述第二凹槽深度為m與第二凹槽寬度為s，m、s之比為B；其中，B<A。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電區(qū)包括彼此絕緣的若干導(dǎo)電網(wǎng)格形成的若干導(dǎo)電通道，所述每個導(dǎo)電通道分別對應(yīng)電性連接所述電極引線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，相鄰的所述導(dǎo)電通道之間設(shè)有配色區(qū)，所述配色區(qū)具有所述第一凹槽，且所述第一凹槽形成網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成配色區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B小于0.8。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二凹槽深度與第二凹槽寬度之比B小于等于0.5。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一凹槽中填充的導(dǎo)電材料平均粒徑小于所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料平均粒徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述承載體為基底及設(shè) 于所述基底上的基質(zhì)層，所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述基質(zhì)層遠離基底的一側(cè)；

或，所述承載體為聚合物，所述導(dǎo)電區(qū)以及引線區(qū)設(shè)于所述聚合物的第一表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述承載體的第二表面也設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)，所述導(dǎo)電網(wǎng)格和所述電極引線電性連接；

或，所述承載體第一表面?zhèn)仍O(shè)有絕緣層，所述絕緣層遠離第一表面的一側(cè)設(shè)有導(dǎo)電區(qū)和引線區(qū)，所述導(dǎo)電網(wǎng)格和所述電極引線電性連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基質(zhì)層以及聚合物為熱固性膠或光固化膠。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述填充導(dǎo)電材料選自金屬、金屬氧化物或有機導(dǎo)電材料中一種或幾種。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于500nm的導(dǎo)電材料及粒徑小于等于500nm的導(dǎo)電材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于等于800nm的導(dǎo)電材料及粒徑小于等于400nm的導(dǎo)電材料。

13.一種導(dǎo)電膜制備方法，包括以下步驟：

S1、在承載體表面上開設(shè)第一凹槽以及第二凹槽，且所述第一凹槽形成相互連通的網(wǎng)格；

S2、使所述第一凹槽深度為m與第一凹槽寬度為n，m、n之比為A，所述第二凹槽深度為m與第二凹槽寬度為s，m、s之比為B，其中，B<A；

S3、在所述第一凹槽以及第二凹槽內(nèi)填充導(dǎo)電材料，所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格，所述相互連通的導(dǎo)電網(wǎng)格形成導(dǎo)電區(qū)；所述第二凹槽中填充導(dǎo)電材料形成電極引線，所述電極引線形成引線區(qū)；所述電極引線與所述導(dǎo)電網(wǎng)格之間電性連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種導(dǎo)電膜制備方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電區(qū)上設(shè)置若干導(dǎo)電網(wǎng)格以形成若干導(dǎo)電通道，且所述導(dǎo)電通道之間彼此絕緣，每個所述導(dǎo)電通道一端都電性連接有電極引線。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種導(dǎo)電膜制備方法，其特征在于，所述相鄰的導(dǎo)電通道之間設(shè)有配色區(qū)域，所述配色區(qū)具有所述第一凹槽，且所述第一凹槽形成網(wǎng)格；所述第一凹槽中填充導(dǎo)電材料形成配色區(qū)。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種導(dǎo)電膜制備方法，其特征在于，所述第二凹槽中填充的導(dǎo)電材料至少包含粒徑大于500nm導(dǎo)電材料及粒徑小于等于500nm的導(dǎo)電材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種導(dǎo)電膜制備方法，其特征在于，所述第一凹槽以及第二凹槽內(nèi)填充導(dǎo)電材料方法為先填充粒徑大于500nm的導(dǎo)電材料，然后在填充粒徑小于500nm的導(dǎo)電材料；或，先填充粒徑小于500nm的導(dǎo)電材料，然后在填充粒徑大于500nm的導(dǎo)電材料。