[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610308959.0
• 申請(qǐng)日: 2016-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN107369649B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃河;李海艇;朱繼光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成包括多個(gè)晶體管和第一互連結(jié)構(gòu)的射頻前端器件，以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結(jié)構(gòu)；其中，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)、所述晶體管的兩側(cè)的所述第一襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

提供第二襯底，通過鍵合工藝將所述第二襯底與所述第一襯底的形成有所述射頻前端器件的一側(cè)相接合；

從所述第一襯底的與所述第一表面相對(duì)的第二表面一側(cè)對(duì)所述第一襯底進(jìn)行減薄處理至第一襯底厚度；

在減薄至所述第一襯底厚度的第一襯底的第二表面形成背面介電層；

其中,所述第一襯底厚度在所述晶體管最小特征尺寸的0.01倍以上及所述晶體管最大特征尺寸的10倍以下；所述最小特征尺寸是指在所述多個(gè)晶體管中最小的溝道長(zhǎng)度，所述最大特征尺寸是指在所述多個(gè)晶體管中最大的溝道長(zhǎng)度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述減薄處理停止于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述背面介電層之后，還包括以下步驟：

在所述第一襯底的所述第二表面一側(cè)形成與所述第二互連結(jié)構(gòu)的底部金屬層電連接的通孔結(jié)構(gòu)；

在所述第一襯底的部分所述第二表面上形成焊盤，所述焊盤與所述通孔結(jié)構(gòu)電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述焊盤之后，還包括步驟：

形成覆蓋所述第一襯底的所述第二表面但暴露出所述焊盤的打線區(qū)的鈍化層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一襯底為體硅襯底。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述減薄處理的方法使用背部研磨工藝，化學(xué)機(jī)械拋光或者濕法刻蝕工藝中的一種或幾種。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括底部金屬層、頂部金屬層以及位于底部金屬層和頂部金屬層之間的中間金屬層，在部分所述中間金屬層上形成有金屬-絕緣層-金屬電容。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行所述鍵合工藝之前，在所述第二襯底的與所述第一襯底相接合的表面上形成鍵合層。

9.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至8之一所述的方法制作獲得所述半導(dǎo)體器件。