[發(fā)明專利]一種低場大磁熵變的二維釓配位聚合物及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610306895.0 | 申請日: | 2016-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN105859759B | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉遂軍;鄭騰飛;曹晨;陳景林;溫和瑞 | 申請(專利權)人: | 江西理工大學 |
| 主分類號: | C07F5/00 | 分類號: | C07F5/00;C09K5/14;H01F1/42 |
| 代理公司: | 北京科億知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 341000 江*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低場大磁熵變 二維 配位聚合 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種低場大磁熵變的二維釓配位聚合物及其制備方法,屬于磁制冷材料制備領域。
背景技術
磁制冷作為一種以磁性固體材料為磁工質的新型制冷技術,相比于傳統(tǒng)的制冷技術具有高效節(jié)能、無污染、噪音小等優(yōu)點。磁制冷將可能替代傳統(tǒng)的氣體壓縮和液氦制冷,是極具開發(fā)潛力的節(jié)能環(huán)保的室溫或低溫制冷技術。作為磁制冷技術的核心部分,磁制冷工質的特性直接影響到磁制冷的功率與效率等性能,因此磁制冷材料的研究顯得尤為重要。
近年來,由于其可裁剪性與可調控性,稀土分子磁制冷劑受到化學研究者的廣泛關注。參見:J.-L. Liu, Y.-C. Chen, F.-S. Guo and M.-L. Tong, Coord. Chem. Rev., 2014, 281, 26; Y.-Z. Zheng, G.-J. Zhou, Z. Zheng and R. E. P. Winpenny, Chem. Soc. Rev., 2014, 43, 1462。
已報道的稀土分子磁制冷劑有一大部分是簇合物,參見:S.-J. Liu, J.-P. Zhao, J. Tao, J.-M. Jia, S.-D. Han, Y. Li, Y.-C. Chen and X.-H. Bu, Inorg. Chem., 2013, 52, 9163; M. Evangelisti, O. Roubeau, E. Palacios, A. Camón, T. N. Hooper, E. K. Brechin and J. J. Alonso, Angew. Chem., Int. Ed., 2011, 50, 6606; J. W. Sharples, Y.-Z. Zheng, F. Tuna, E. J. L. McInnes and D. Collison, Chem. Commun., 2011, 47, 7650。由于低場大磁熵變的釓配位聚合物在合成上有一定難度,因此基于小分子羧酸的磁制冷材料的研究較少,參見:G. Lorusso, J. W. Sharples, E. Palacios, O. Roubeau, E. K. Brechin, R. Sessoli, A. Rossin, F. Tuna, E. J. L. McInnes, D. Collison and M. Evangelisti, Adv. Mater., 2013, 25, 4653; Y.-C. Chen, F.-S. Guo, Y.-Z. Zheng, J.-L. Liu, J.-D. Leng, R. Tarasenko, M. Orendá?, J. Prokle?ka, V. Sechovsky and M. L. Tong, Chem. Eur. J., 2013, 19, 13504-13510。
因此有必要發(fā)明一種新的低場大磁熵變的二維釓配位聚合物及其制備方法,以克服上述問題。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術之缺陷,提供了一種低場大磁熵變的二維釓配位聚合物及其制備方法,該制備方法基于釓離子較大的自旋基態(tài)以及釓離子間較弱的磁相互作用,制得低場大磁熵變的二維釓配位聚合物,為制備低場大磁熵變的稀土配合物指明新的方向;該二維釓配位聚合物具有相對較小的分子質量自旋比(small Mw/Nm)和大的磁熱效應,在磁制冷方面具有潛在應用價值。
本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:
本發(fā)明提供一種低場大磁熵變的二維釓配位聚合物,所述低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的化學式為C4H6GdO8。
進一步地,所述低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的晶體屬于三斜晶系,P-1空間群,其晶胞參數(shù)為:a = 7.42 ?,b = 7.84 ?,c = 8.56 ?,α = 111.3°,β = 98.9°,γ = 114.1°。
本發(fā)明還提供一種低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的制備方法,包括以下步驟:步驟一:將氧化釓、丙二酸、草酸和水加入至反應釜中,并混合均勻;步驟二:將上述混合物升溫至150-170°C,反應65-80小時后,降溫至18-25 °C,得到塊狀晶體;步驟三:收集上述塊狀晶體,并依次使用水和乙醇進行洗滌,真空干燥后,即可得到低場大磁熵變的二維釓配位聚合物。
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