[發明專利]一種低場大磁熵變的二維釓配位聚合物及其制備方法

有效

• 申請號: 201610306895.0
• 申請日: 2016-05-11
• 公開（公告）號: CN105859759B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 劉遂軍;鄭騰飛;曹晨;陳景林;溫和瑞
• 申請（專利權）人: 江西理工大學
• 主分類號: C07F5/00
• 分類號: C07F5/00;C09K5/14;H01F1/42
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種低場大磁熵變的二維釓配位聚合物，其特征在于，所述低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的化學式為C₄H₆GdO₈，所述低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的晶體屬于三斜晶系，P-1空間群，其晶胞參數為：a = 7.42 ?，b = 7.84 ?，c = 8.56 ?，α= 111.3°，β= 98.9°，γ= 114.1°。

2.一種如權利要求1所述的低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：將氧化釓、丙二酸、草酸和水加入至反應釜中，并混合均勻；

步驟二：將上述混合物升溫至150-170°C，反應65-80小時后，降溫至18-25 °C，得到塊狀晶體；

步驟三：收集上述塊狀晶體，并依次使用水和乙醇進行洗滌，真空干燥后，即可得到低場大磁熵變的二維釓配位聚合物。

3.如權利要求2所述的低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的制備方法，其特征在于：氧化釓、丙二酸、草酸和水的用量比例為（0.5-0.8毫摩爾）：（1.2-1.8毫摩爾）：（0.3-0.6毫摩爾）：（8-12毫升）。

4.如權利要求3所述的低場大磁熵變的二維釓配位聚合物的制備方法，其特征在于：氧化釓、丙二酸、草酸和水的用量比例為0.5毫摩爾：1.5毫摩爾：0.5毫摩爾：10毫升。