[發(fā)明專利]金屬光柵偏光片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610303897.4 | 申請日: | 2016-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN105785493B | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳黎暄 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/30 | 分類號: | G02B5/30;G03F7/00 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 光柵 偏光 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明提供一種金屬光柵偏光片及其制作方法。本發(fā)明的金屬光柵偏光片,包括基板(10)、及形成在基板(10)上的數(shù)條金屬光柵;所述金屬光柵分為高度不同的第一線柵(21)和第二線柵(22),可以形成一種雙周期的光柵結(jié)構(gòu),從而達成更好的光學(xué)性能,具有較多的全局優(yōu)化參數(shù)使得調(diào)控其光學(xué)性能變得更為科學(xué)和靈活。本發(fā)明的金屬光柵偏光片的制作方法,可以制作出高度層次變化的光柵結(jié)構(gòu),且制備工藝簡單。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種金屬光柵偏光片及其制作方法。
背景技術(shù)
納米壓印(Nano-imprint Lithography,NIL)技術(shù)突破了傳統(tǒng)光刻在特征尺寸減小過程中的難題,具有分辨率高、低成本、高產(chǎn)率的特點。自1995年提出以來,納米壓印已經(jīng)演變出了多種壓印技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微機電系統(tǒng)(MicroelectromechanicalSystems,MEMS)、生物芯片、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。NIL技術(shù)的基本思想是通過模版,將圖形轉(zhuǎn)移到相應(yīng)的襯底上,轉(zhuǎn)移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜,通過熱壓或者輻照等方法使其結(jié)構(gòu)硬化從而保留下轉(zhuǎn)移的圖形。整個過程包括壓印和圖形轉(zhuǎn)移兩個過程。根據(jù)壓印方法的不同,NIL主要可分為熱塑(Hot embossing)、紫外(UV)固化和微接觸(Micro contactprinting,uCP)三種光刻技術(shù)。
對于需要使用偏光片的各類器件,例如LCD、OLED等,傳統(tǒng)的偏光片是由多層膜組合而成的,其中最核心的部分是偏光層,通常為含有具有偏光作用的碘分子的聚乙烯醇(PVA)層,其次是分別位于偏光層兩側(cè)的保護層,通常為透明的三醋酸纖維素(TAC)層,主要是為了維持偏光層中偏光子的被拉伸狀態(tài),避免偏光子水分的流失,保護其不受外界影響,該偏光片通過二向碘分子的吸收作用來產(chǎn)生偏振光。隨著納米壓印技術(shù)的發(fā)展,人們已經(jīng)可以嘗試制備小尺寸的金屬光柵結(jié)構(gòu),來達到對可見光波長范圍的光的偏振作用,由于金屬光柵結(jié)構(gòu)本身對光的吸收很小,通過反射自然光的一個偏振而讓另外一個偏振通過,可以使被反射的光通過偏振旋轉(zhuǎn)再次被回收利用,因此在液晶顯示中具有很大的潛力。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種金屬光柵偏光片,其上的金屬光柵分為高度不同的第一線柵和第二線柵,可以形成一種雙周期的光柵結(jié)構(gòu),從而達成更好的光學(xué)性能,具有較多的全局優(yōu)化參數(shù)使得調(diào)控其光學(xué)性能變得更為科學(xué)和靈活。
本發(fā)明的目的還在于提供一種金屬光柵偏光片的制作方法,可以制作出高度層次變化的光柵結(jié)構(gòu),且制備工藝簡單。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明首先提供一種金屬光柵偏光片,包括基板、及形成在基板上的數(shù)條金屬光柵;
所述金屬光柵分為第一線柵和第二線柵,數(shù)條第一線柵和數(shù)條第二線柵在基板上交錯設(shè)置且呈周期排列,所述第一線柵具有第一高度H1,所述第二線柵具有第二高度H2,所述第一線柵和第二線柵的高度關(guān)系滿足(H1-H2)/H1>10%。
所述金屬光柵的寬度在20-150nm之間;相鄰兩金屬光柵之間的距離在20-150nm之間。
所述的金屬光柵偏光片還包括設(shè)于所述基板、及數(shù)條金屬光柵上的緩沖層。
所述數(shù)條金屬光柵在基板上為等間隔設(shè)置。
每一第一線柵與一個第二線柵交錯設(shè)置。
本發(fā)明還提供一種金屬光柵偏光片的制作方法,包括以下步驟:
步驟1、提供金屬襯底,在金屬襯底上表面涂覆一層光膠;
步驟2、提供壓印模板,將壓印模板放置在光膠上進行納米壓印,使金屬襯底上的光膠形成間隔排布的數(shù)條第一光阻條和數(shù)條第二光阻條,其中,第一光阻條的高度大于第二光阻條的高度;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市華星光電技術(shù)有限公司,未經(jīng)深圳市華星光電技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610303897.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





