[發明專利]一種SIP模組的鐳射切割方法及系統

有效

• 申請號: 201610302540.4
• 申請日: 2016-05-09
• 公開（公告）號: CN105728956B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 孟新玲;宋浩真;張亮
• 申請（專利權）人: 環維電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所31251
• 代理人: 郭桂峰

技術領域

本發明涉及鐳射切割領域，尤其涉及一種SIP模組的鐳射切割方法及系統。

背景技術

半導體封裝產品的傳統切割技術中，主要還是刀片切割技術，但刀片切割技術存在著一定問題，例如：只能切割直線，無法切割外形有弧度的產品；切割過程需要冷卻循環水沖擊排屑，沖擊力容易影響產品質量；刀片運動速度有限，切割速度慢；刀片耗材需要定期保養與更換，成本高；噪音大，危害操作人員身心健康等。因此，鐳射切割被應用到半導體封裝領域中。

在半導體領域中，系統級封裝(SIP，System In a Package)是現在封裝產品的趨勢，印刷電路板(PCB，Printed Circuit Board)經過表面貼裝技術(SMT，Surface Mount Technology)上件后，制成PCBA(Printed Circuit Board Assembly)，再對PCBA的上表面填充塑封料形成模封層(Molding)，固化后形成SIP模組。隨著半導體的發展，產品越來越向精、小、細、薄等方向變化，鐳射切割技術的引入，滿足了不斷這些需求。

鐳射切割是利用經聚焦的高功率密度鐳射光束照射產品，使被照射的材料迅速熔化、汽化、燒蝕或達到燃點，同時借助與光束同軸的高速氣流吹除熔融物質，從而實現將產品割開。

在現有技術中，對封裝產品采用鐳射切割時，容易出現銅粉噴濺、產品碳化的問題，這種問題使SIP模組在后續制程中進行濺鍍后的鍍層較容易脫落，使屏蔽效果失效，降低了制程良率。

發明內容

本發明的目的是提供一種SIP模組的鐳射切割方法及系統，增加SIP模組在后續制程中濺鍍后鍍層的附著能力，避免后續的屏蔽效果失效，提高制程良率。

本發明提供的技術方案如下：

一種SIP模組的鐳射切割方法，包括：步驟S10獲取所述SIP模組的輪廓數據；其中，所述輪廓數據包括：切割路徑和切割位置；步驟S20根據預設的凹槽切割數據和獲取的所述輪廓數據，采用鐳射將所述SIP模組輪廓周圍一圈的一部分塑封料進行切除，形成散熱的凹槽；步驟S30當所述凹槽形成后，根據獲取的所述輪廓數據和預設的輪廓切割數據，采用鐳射對所述SIP模組進行切割，直到切下所述SIP模組。

進一步優選地，所述凹槽切割數據包括：凹槽位置偏移數據、凹槽切割次數、凹槽鐳射控制參數；所述步驟S20包括：步驟S21根據所述輪廓數據和所述凹槽位置偏移數據，計算得到凹槽切割路徑和凹槽切割位置；步驟S22根據所述凹槽切割路徑、所述凹槽切割位置、所述凹槽鐳射控制參數，采用鐳射將所述SIP模組輪廓周圍一圈的一部分塑封料進行切除；步驟S23判斷所述步驟S22中采用鐳射將所述SIP模組輪廓周圍一圈的一部分塑封料進行切除的次數是否達到所述凹槽切割次數，若是，則執行步驟S30，若否，則執行步驟S22。

進一步優選地，所述輪廓切割數據包括：輪廓切割次數、輪廓鐳射控制參數；其中，所述凹槽切割次數小于所述輪廓切割次數；所述步驟S30包括：步驟S31根據所述輪廓數據、所述輪廓鐳射控制參數，采用鐳射對所述SIP模組進行切割；步驟S32判斷所述步驟S31中采用鐳射對所述SIP模組進行切割的次數是否達到所述輪廓切割次數，若是，則執行步驟S40，若否，則執行步驟S31。

進一步優選地，所述步驟S30之后還包括：步驟S40根據所述輪廓數據和預設的拋光數據，采用鐳射對切下的所述SIP模組進行拋光。

進一步優選地，所述拋光數據包括：拋光位置偏移數據、拋光次數、拋光鐳射控制參數；所述步驟S40包括：步驟S41根據所述輪廓數據和所述拋光位置偏移數據，計算得到拋光路徑和拋光位置；步驟S42根據所述拋光路徑、所述拋光位置、所述拋光鐳射控制參數，采用鐳射對切下的所述SIP模組進行拋光；步驟S43判斷所述步驟S42中采用鐳射對切下的所述SIP模組進行拋光的次數是否達到所述拋光次數，若否，則執行步驟S42。

進一步優選地，所述拋光鐳射控制參數小于所述凹槽鐳射控制參數，也小于所述輪廓鐳射控制參數。

進一步優選地，所述步驟S10包括：步驟S11采集所述SIP模組的圖像；步驟S12對所述圖像進行處理，得到所述SIP模組的所述輪廓數據。