[發明專利]一種SIP模組的鐳射切割方法及系統

有效

• 申請號: 201610302540.4
• 申請日: 2016-05-09
• 公開（公告）號: CN105728956B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 孟新玲;宋浩真;張亮
• 申請（專利權）人: 環維電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301
• 代理公司: 上海碩力知識產權代理事務所31251
• 代理人: 郭桂峰

1.一種SIP模組的鐳射切割方法，其特征在于，包括：

步驟S10獲取所述SIP模組的輪廓數據；

其中，所述輪廓數據包括：切割路徑和切割位置；

步驟S20根據預設的凹槽切割數據和獲取的所述輪廓數據，采用鐳射將所述SIP模組輪廓周圍一圈的一部分塑封料進行切除，形成散熱的凹槽；

步驟S30當所述凹槽形成后，根據獲取的所述輪廓數據和預設的輪廓切割數據，采用鐳射對所述SIP模組進行切割，直到切下所述SIP模組；

步驟S40根據所述輪廓數據和預設的拋光數據，采用鐳射對切下的所述SIP模組進行拋光。

2.一種如權利要求1所述的SIP模組的鐳射切割方法，其特征在于，所述凹槽切割數據包括：

凹槽位置偏移數據、凹槽切割次數、凹槽鐳射控制參數；

所述步驟S20包括：

步驟S21根據所述輪廓數據和所述凹槽位置偏移數據，計算得到凹槽切割路徑和凹槽切割位置；

步驟S22根據所述凹槽切割路徑、所述凹槽切割位置、所述凹槽鐳射控制參數，采用鐳射將所述SIP模組輪廓周圍一圈的一部分塑封料進行切除；

步驟S23判斷所述步驟S22中采用鐳射將所述SIP模組輪廓周圍一圈的一部分塑封料進行切除的次數是否達到所述凹槽切割次數，若是，則執行步驟S30，若否，則執行步驟S22。

3.一種如權利要求2所述的SIP模組的鐳射切割方法，其特征在于，所述輪廓切割數據包括：

輪廓切割次數、輪廓鐳射控制參數；

其中，所述凹槽切割次數小于所述輪廓切割次數；

所述步驟S30包括：

步驟S31根據所述輪廓數據、所述輪廓鐳射控制參數，采用鐳射對所述SIP模組進行切割；

步驟S32判斷所述步驟S31中采用鐳射對所述SIP模組進行切割的次數是否達到所述輪廓切割次數，若是，則執行步驟S40，若否，則執行步驟S31。

4.一種如權利要求3所述的SIP模組的鐳射切割方法，其特征在于，所述拋光數據包括：

拋光位置偏移數據、拋光次數、拋光鐳射控制參數；

所述步驟S40包括：

步驟S41根據所述輪廓數據和所述拋光位置偏移數據，計算得到拋光路徑和拋光位置；

步驟S42根據所述拋光路徑、所述拋光位置、所述拋光鐳射控制參數，采用鐳射對切下的所述SIP模組進行拋光；

步驟S43判斷所述步驟S42中采用鐳射對切下的所述SIP模組進行拋光的次數是否達到所述拋光次數，若否，則執行步驟S42。

5.一種如權利要求4所述的SIP模組的鐳射切割方法，其特征在于：

所述拋光鐳射控制參數小于所述凹槽鐳射控制參數，也小于所述輪廓鐳射控制參數。

6.一種如權利要求1所述SIP模組的鐳射切割方法，其特征在于，所述步驟S10包括：

步驟S11采集所述SIP模組的圖像；

步驟S12對所述圖像進行處理，得到所述SIP模組的所述輪廓數據。

7.一種SIP模組的鐳射切割系統，其特征在于，包括：

控制模塊；

獲取模塊，與所述控制模塊電連接，在所述控制模塊的控制下，獲取所述SIP模組的輪廓數據；

其中，所述輪廓數據包括：切割路徑和切割位置；

存儲模塊，與所述控制模塊電連接，在所述控制模塊的控制下，存儲預設的凹槽切割數據、預設的輪廓切割數據；

鐳射模塊，與所述控制模塊電連接，在所述控制模塊的控制下，根據預設的所述凹槽切割數據和獲取的所述輪廓數據，采用鐳射將所述SIP模組輪廓周圍一圈的一部分塑封料進行切除，形成散熱的凹槽；以及，當所述凹槽形成后，在所述控制模塊的控制下，根據獲取的所述輪廓數據和預設的所述輪廓切割數據，采用鐳射對所述SIP模組進行切割，直到切下所述SIP模組。