[發(fā)明專(zhuān)利]一種硫化銻膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610296937.7
• 申請(qǐng)日: 2016-05-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105951146B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海全;侯文龍;梁波;郭慧云;王海龍;趙樂(lè)樂(lè);彭飛;程才紅;楊越冬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 燕山大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C25D9/08
• 分類(lèi)號(hào): C25D9/08
• 代理公司: 秦皇島一誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)13116
• 代理人: 續(xù)京沙

1.一種硫化銻薄膜的制備方法，其特征在于：它包括如下步驟：

(1)將透明電極先后在丙酮和乙醇溶液中分別超聲清洗15min后，再用去離子水沖洗干凈；

(2)將兩塊透明電極垂直排列放入電解槽，制成二個(gè)電極，電極表面相互平行；

(3)按每11毫升1,2-乙二胺和1,2-乙二硫醇混合溶液加入0.01-0.03g硫化銻的比例，將硫化銻溶于乙二胺和1,2-乙二硫醇混合溶液，制得電沉積液；所述按乙二胺和1,2-乙二硫醇的體積比為10:1；

(4)將步驟(2)的二個(gè)電極放置在步驟(3)的電沉積液中進(jìn)行陰極恒電位電沉積，電壓為1.5-8V，電鍍時(shí)間為5-30min，電沉積結(jié)束后，陰極上沉積出一層均勻質(zhì)密的薄膜；

(5)將步驟(4)的電沉積膜浸在氮?dú)鈿夥障?00-400度熱處理1-10分鐘，自然冷卻至室溫，得到硫化銻膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銻膜的制備方法，其特征在于，所述透明電極為由透明基材和鍍?cè)谄浔砻娴耐该鲗?dǎo)電材料構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硫化銻膜的制備方法，其特征在于，所述的透明基材為無(wú)機(jī)玻璃、有機(jī)玻璃和透明薄膜中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硫化銻膜的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為摻雜的氧化錫、摻雜的氧化銦或摻雜的氧化鋅中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硫化銻膜的制備方法，其特征在于，所述透明電極為ITO玻璃。