[發(fā)明專利]半導體器件的基底及其制作方法和半導體器件

在審

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• 申請日: 2016-05-04
• 公開（公告）號: CN107346729A
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設計）人: 馬萬里;趙圣哲;李理
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 張洋,劉芳

技術領域

本發(fā)明涉及半導體器件技術，尤其涉及半導體器件的基底及其制作方法和半導體器件。

背景技術

在半導體器件的基底結構中，主要包括襯底層、柵氧化層和形成在柵氧化層上的多晶硅層，多晶硅層上還刻蝕有間斷區(qū)。圖1為現(xiàn)有技術中的半導體器件的基底的結構示意圖，如圖1所示，該基底包括：襯底層100、柵氧化層200、多晶硅層300以及在多晶硅層300中形成的間斷區(qū)400。

現(xiàn)有技術中，通常在刻蝕間斷區(qū)400時，主要采用干法刻蝕的方式，即采用氣體離子轟擊腐蝕多晶硅層300。

由于柵氧化層200是不導電的，多晶硅層300與襯底層100可等效為電容，在不斷的采用氣體離子的轟擊過程中，相當于電容兩端的電壓差不斷增大，因此會在刻蝕多晶硅層300的過程中導致柵氧化層200被擊穿，例如，在圖1所示的圓圈位置500處就會比較容易擊穿，導致器件失效。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種半導體器件的基底及其制作方法和半導體器件，以解決現(xiàn)有技術中在刻蝕多晶硅層導致柵氧化層被擊穿，導致器件失效的問題。

本發(fā)明第一方面提供一種半導體器件的基底的制作方法，包括：

在襯底上形成柵氧化層；

在所述柵氧化層上形成多晶硅層，其中，所述多晶硅層和所述襯底接觸；

在所述多晶硅層中形成間斷區(qū)。

本發(fā)明第二方面提供一種半導體器件的基底，包括：

襯底；

在所述襯底上形成的柵氧化層和多晶硅層，其中，所述多晶硅層和所述襯 底接觸；

所述多晶硅層中形成的間斷區(qū)。

本發(fā)明的第三方面提供了一種半導體器件，包括：上述第二方面提供的半導體器件的基底。

由上述技術方案可知，本發(fā)明提供的半導體器件的基底、半導體器件的基底的制作方法和半導體器件，由于襯底和多晶硅層接觸，因此，可以在刻蝕多晶硅層時將多晶硅層累積的電荷導入至襯底中，從而可以避免在刻蝕多晶硅層時導致的柵氧化層擊穿而導致的器件失效的問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術中的半導體器件的基底的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例一提供的半導體器件制作方法的流程圖；

圖3為現(xiàn)有技術中半導體器件的俯視圖；

圖4為本發(fā)明實施例二提供的半導體器件的基底的結構示意圖；

圖5A-5C為本發(fā)明實施例二提供的半導體器件的基底的各個制作步驟的俯視結構示意圖；

圖6A-6D為本發(fā)明一實施例提供的半導體器件的各個制作步驟的剖面結構示意圖。

附圖標記：

100-襯底層；200-柵氧化層；

300-多晶硅層；400-間斷區(qū)；

500-圓圈位置；1-襯底；

2-柵氧化層；3-多晶硅層；

20-定位區(qū)； 600-半導體器件；

41-間斷區(qū)； 21-連接區(qū)；

22-襯底的定位區(qū)上的柵氧化層。

具體實施方式

本實施例提供一種半導體器件的基底的制作方法。需要說明的是，本實施中的基底上可以用于形成有多個芯片，如圖2所示，圖2為本發(fā)明實施例一的半導體器件的基底的制作方法的流程圖，該半導體器件的基底的制作方法包括：

步驟101，在襯底上形成柵氧化層。

步驟102，在所述柵氧化層上形成多晶硅層，其中，所述多晶硅層和所述襯底接觸。

具體的，多晶硅層形成于柵氧化層上。

步驟103，在多晶硅層中形成間斷區(qū)。

其中，多晶硅層和襯底只要保證能夠在刻蝕多晶硅層時，能夠將多晶硅層累積的電荷導入至襯底中即可。

另外，需要說明的是，在現(xiàn)有技術中，為了區(qū)分不同的硅片，需要對硅片上設置有用于區(qū)分硅片用的標識，圖3為現(xiàn)有技術中半導體器件的俯視圖，如圖3所示，設置有標識的區(qū)域即為定位區(qū)20，在現(xiàn)有技術中定位區(qū)20是不布置器件的。另外，定位區(qū)20在本領域中也稱為主平邊。定位區(qū)20即為襯底上未設置器件的區(qū)域,一般在襯底的某一邊緣處。可以看出，在圖3的示意圖中，包括多個半導體器件600，定位區(qū)20位于多個半導體器件600的外側,即未布置半導體器件600的襯底區(qū)域。

可選的，在形成柵氧化層后，在刻蝕襯底的定位區(qū)上方的柵氧化層，以形成連接區(qū)，在連接區(qū)中和柵氧化層上形成多晶硅層。另外，襯底可以為硅襯底，柵氧化層為二氧化硅，可以采用化學氣相沉積的方式在襯底上沉積形成柵氧化層，當然也可以直接對襯底進行氧化，以生成二氧化硅。