[發明專利]半導體器件的基底及其制作方法和半導體器件

在審

• 申請號: 201610290946.5
• 申請日: 2016-05-04
• 公開（公告）號: CN107346729A
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 馬萬里;趙圣哲;李理
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 張洋,劉芳

1.一種半導體器件的基底的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成柵氧化層；

在所述柵氧化層上形成多晶硅層，其中，所述多晶硅層和所述襯底接觸；

在所述多晶硅層中形成間斷區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述柵氧化層后，且在形成多晶硅層之前，還包括：

濕法刻蝕所述襯底的定位區上的柵氧化層，形成連接區；

相應地，在所述柵氧化層上形成多晶硅層包括：

在所述連接區中和所述柵氧化層上形成多晶硅層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所述襯底的定位區上的柵氧化層，形成連接區包括：

將襯底的定位區和所述襯底的定位區上的柵氧化層浸入刻蝕溶液中，刻蝕溶液刻蝕掉所述襯底的定位區上的柵氧化層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述多晶硅層的溫度為500℃至1000℃，形成所述柵氧化層的溫度為900℃至1000℃。

5.根據權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為0.01微米至2.0微米，所述柵氧化層的厚度為0.01微米至1.0微米。

6.一種半導體器件的基底，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上形成的柵氧化層和多晶硅層，其中，所述多晶硅層和所述襯底接觸；

所述多晶硅層中形成的間斷區。

7.根據權利要求6所述的基底，其特征在于，所述多晶硅層和所述襯底的定位區接觸。

8.根據權利要求6或7所述的基底，其特征在于柵氧化層的厚度為0.01微米至1.0微米。

9.根據權利要求6所述的基底，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為0.01微米至2.0微米。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：上述權利要求6-9任一項所述的半 導體器件的基底。