[發(fā)明專利]一種諧振增強(qiáng)型熱釋電紅外探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610290352.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105810773B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁志清;王濤;馬振東;伍瀏權(quán);劉子驥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/101 | 分類號(hào): | H01L31/101;H01L31/0232;G01J5/20 |
| 代理公司: | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙)51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 諧振 增強(qiáng) 型熱釋電 紅外探測(cè)器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及熱釋電探測(cè)器電子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種諧振增強(qiáng)型熱釋電紅外探測(cè)器。
背景技術(shù)
熱釋電紅外探測(cè)器是利用熱釋電材料的自發(fā)極化強(qiáng)度隨溫度而變化的效應(yīng)制成的一種熱敏型紅外探測(cè)器。在恒定溫度下,熱釋電材料的自發(fā)極化被體內(nèi)的電荷和表面吸附電荷所中和。熱釋電紅外探測(cè)器廣泛應(yīng)用于報(bào)警、紅外成像、非接觸測(cè)溫、氣體分析等領(lǐng)域,在光譜儀,激光器、紅外地平儀中均有應(yīng)用。熱釋電紅外探測(cè)器屬于非制冷紅外探測(cè)器,具有室溫工作、結(jié)構(gòu)緊湊、穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)。在0.8~25μm波段,熱釋電紅外探測(cè)器具有平坦的光譜響應(yīng)。
熱釋紅外電探測(cè)器包括光學(xué)系統(tǒng)、紅外傳感器單元、信號(hào)處理電路、輸出控制裝置;熱釋電紅外探測(cè)器的性能主要由響應(yīng)速度和敏感性表征,熱釋電紅外探測(cè)器的光學(xué)系統(tǒng)的基本功能是將目標(biāo)紅外熱能匯聚到熱釋電傳感器表面,在一定波段范圍內(nèi)要想獲得好的敏感性,就要求探測(cè)器的吸收層對(duì)紅外線的吸收率高,同時(shí)為信號(hào)的后續(xù)處理奠定基礎(chǔ)。因此,熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層設(shè)計(jì)受到了越來越多的重視。
熱釋電材料是一種具有自發(fā)極化的電介質(zhì),它的自發(fā)極化強(qiáng)度隨溫度變化;根據(jù)以下公式:
其中,P為極化強(qiáng)度,T為溫度,dP為極化強(qiáng)度變化,dT為溫度變化;可用公式(1)來描述熱釋電系數(shù)p;若dt時(shí)間內(nèi),熱釋電材料吸收熱輻射,溫度變化dT,極化強(qiáng)度變化dP,則材料單位面積產(chǎn)生的電流如公式(2)所示。
甚長(zhǎng)波紅外頻段熱釋電紅外單元探測(cè)器吸收層的吸收率是其重要性能參數(shù)之一,直接影響著探測(cè)器敏感層的溫升快慢和大小,因此,如何提高熱釋電紅外單元探測(cè)器的吸收率,從而提高熱釋電紅外單元探測(cè)器的響應(yīng)率和探測(cè)率,是本領(lǐng)域中的重要問題。
眾所周知,光學(xué)諧振腔是激光器件的基本組成之一,是用來加強(qiáng)輸出激光的亮度,調(diào)節(jié)和選定激光的波長(zhǎng)和方向的裝置,從真空紫外到遠(yuǎn)紅外的絕大部分激光系統(tǒng)都使用光學(xué)諧振腔。其中光諧振腔的作用主要為光學(xué)正反饋?zhàn)饔煤彤a(chǎn)生對(duì)振蕩光束的控制作用。其中,微腔激光器是一種由尺寸在微米或者亞微米量級(jí)的光學(xué)諧振腔和增益介質(zhì)組成的微型激光器,其中光學(xué)諧振腔是它的核心部分。微腔激光器具有體積小能耗低的特點(diǎn),而且可以大規(guī)模集成,且具有很多潛在的應(yīng)用價(jià)值。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種吸收率高的一種諧振增強(qiáng)型雙吸收層熱釋電探測(cè)器。
本發(fā)明的的技術(shù)方案如下:
一種諧振增強(qiáng)型熱釋電紅外探測(cè)器,其紅外傳感器單元中的吸收層為復(fù)合層結(jié)構(gòu),由底層至頂層依次包括:底面設(shè)有金屬反射層和頂面設(shè)有第一金屬吸收層的鉭酸鋰晶片,第一介質(zhì)層,第二金屬吸收層,第二介質(zhì)層以及第三金屬層;所述鉭酸鋰晶片厚度為9~17微米,金屬吸收層的材料為鎳鉻合金,其厚度范圍均為6~11納米,介質(zhì)層的厚度范圍均為3~6納米。
本發(fā)明的諧振增強(qiáng)型熱釋電紅外探測(cè)器中,其所述金屬反射層為鎳鉻合金層,金屬反射層的厚度范圍為180~220納米。
本發(fā)明的諧振增強(qiáng)型熱釋電紅外探測(cè)器吸收層結(jié)構(gòu)中,第一金屬吸收層、第二金屬吸收層、第三金屬吸收層分別與鉭酸鋰晶片、金屬反射層之間形成了諧振腔。本發(fā)明采用平行平面腔使得光線在周期性透鏡波導(dǎo)中來回振蕩而不溢出波導(dǎo)之外,增加了入射光穿越吸收層的次數(shù),從而間接提高了吸收層的吸收系數(shù),形成了穩(wěn)定的透鏡波導(dǎo)。所述平行平面腔分類屬于臨界腔,對(duì)工作在臨界區(qū)的腔,只有某些特定的光線才能在腔內(nèi)往返而不逸出腔外,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)特定波段的紅外光進(jìn)行多次諧振吸收。
同時(shí),第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層分別可以形成小的反射腔進(jìn)行多次吸收,因此,能在很大程度上提高探測(cè)器對(duì)于紅外入射光的吸收,提高了吸收率。
此外,本發(fā)明采用雙層吸收層的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得單個(gè)吸收層厚度較薄,從而提高了器件的響應(yīng)程度。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的諧振增強(qiáng)型熱釋電紅外探測(cè)器吸收層的結(jié)構(gòu)示意圖;其中,1為金屬反射層,2為鉭酸鋰晶片,3為第一金屬吸收層,4為第一介質(zhì)層,5為第二金屬吸收層,6為第二介質(zhì)層,7為第三金屬層。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例結(jié)構(gòu)。
如圖1所示為一種諧振增強(qiáng)型熱釋電紅外探測(cè)器的吸收層,所述吸收層為復(fù)合層結(jié)構(gòu),由底層至頂層依次包括:底面設(shè)有金屬反射層1和頂面設(shè)有第一金屬吸收層3的鉭酸鋰晶片2,第一介質(zhì)層4,第二金屬吸收層5,第二介質(zhì)層6以及第三金屬層7。
實(shí)施例:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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