[發明專利]VDMOS器件的制作方法

有效

• 申請號: 201610287331.7
• 申請日: 2016-05-03
• 公開（公告）號: CN107342224B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張洋;劉芳

1.一種VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

在N型外延層上生長柵氧化層并在所述柵氧化層上淀積本征多晶硅層；

對所述本征多晶硅層及所述柵氧化層進行光刻、刻蝕，保留左右兩側區域的柵氧化層和本征多晶硅層；

制作所述VDMOS器件的體區；

以三氯氧磷為反應氣體，進行本征多晶硅摻雜，形成具有飽和N型多晶硅層的柵極，并在所述體區中形成源區；

在形成源區后的圖案上形成介質層，所述介質層為凹槽型；

對凹槽型介質層進行光刻、刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質層的底部，并刻蝕掉凹槽型介質層的底部下方的源區；

在刻蝕掉凹槽型介質層的底部下方的源區后形成的圖案上形成金屬層，并制作金屬引線；

其中，所述對凹槽型介質層進行光刻、刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質層的底部，并刻蝕掉凹槽型介質層的底部下方的源區具體包括：

對凹槽型介質層進行光刻、刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質層的底部，并保留進行光刻、刻蝕后的介質層上方的光刻膠；

在所述光刻膠的阻擋下，對源區繼續進行刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質層的底部下方的源區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在N型外延層上生長柵氧化層并在所述柵氧化層上淀積本征多晶硅層，具體包括：

采用干法熱氧化生長工藝，在所述N型外延層上生長柵氧化層；

采用化學氣相淀積工藝，在所述柵氧化層上淀積本征多晶硅層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述制作所述VDMOS器件的體區具體為：

對所述VDMOS器件進行P型離子注入和高溫驅入，在所述N型外延層內形成體區。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述P型離子注入的離子為硼離子，劑量為1.0E13-1.0E15個/平方厘米，能量可以為60-120KEV。

5.根據權利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述高溫驅入的溫度為900-1150攝氏度，所述高溫驅入的時間為50-300分鐘。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述柵氧化層的厚度為500-1500埃，所述本征多晶硅層的厚度為4000-8000埃。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述本征多晶硅層的厚度為6000埃。