[發(fā)明專利]VDMOS器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610287331.7
• 申請日: 2016-05-03
• 公開（公告）號: CN107342224B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張洋;劉芳

本發(fā)明提供了一種VDMOS器件的制作方法，該方法包括：在N型外延層上生長柵氧化層并在柵氧化層上淀積本征多晶硅層；對本征多晶硅層及柵氧化層進行光刻、刻蝕，保留左右兩側(cè)區(qū)域的柵氧化層和本征多晶硅層；制作VDMOS器件的體區(qū)；以三氯氧磷為反應氣體，進行本征多晶硅摻雜，形成具有飽和N型多晶硅層的柵極，并在體區(qū)中形成源區(qū)；在形成源區(qū)后的圖案上形成介質(zhì)層，介質(zhì)層為凹槽型；對凹槽型介質(zhì)層進行光刻、刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部，并刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部下方的源區(qū)；在刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部下方的源區(qū)后形成的圖案上形成金屬層，并制作金屬引線，保證了VDMOS器件的高性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及半導體制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種VDMOS器件的制作方法。

背景技術(shù)

單垂直雙擴散金屬-氧化物半導體晶體管(簡稱：VDMOS)兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點。無論開關(guān)應用還是線性應用，VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS器件主要用于電機調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。VDMOS器件分為增強型VDMOS器件和耗盡型VDMOS器件。

圖11為現(xiàn)有技術(shù)中VDMOS器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖12為現(xiàn)有技術(shù)中VDMOS器件的制作流程圖，如圖11和圖12所示，現(xiàn)有的VDMOS器件的制作方法包括以下幾個步驟。步驟1201，在N型外延層2上依次形成柵氧化層3和本征多晶硅層；步驟1202，在爐管中，以三氯氧磷為反應氣體，對本征多晶硅層進行N型飽和摻雜，將本征多晶硅層摻雜成飽和N型多晶硅層；步驟1203，對飽和N型多晶硅層進行光刻、刻蝕，形成柵極6并進行體區(qū)5的注入和驅(qū)入；步驟1204，在柵氧化層3的兩柵極6之間形成光刻膠，以光刻膠為阻擋做源區(qū)7的注入，注入后去除光刻膠，并進行源區(qū)7的驅(qū)入；步驟1205，沉積介質(zhì)層8，進行接觸孔刻蝕，沉積金屬層9，并做出金屬引線。

從現(xiàn)有技術(shù)中VDMOS器件的制作流程可看出，在步驟1202中進行多晶硅層的摻雜，及在步驟1204中進行源區(qū)的注入和驅(qū)入時，均混合了N型離子，但需要多個重復的制作環(huán)節(jié)，使制作工藝復雜，并增加了VDMOS器件的制作成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種VDMOS器件的制作方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中制作VDMOS器件時需要多個重復的制作環(huán)節(jié)，使制作工藝復雜，并增加了VDMOS器件的制作成本的問題。

本發(fā)明實施例提供一種VDMOS器件的制作方法，包括：

在N型外延層上生長柵氧化層并在所述柵氧化層上淀積本征多晶硅層；

對所述本征多晶硅層及所述柵氧化層進行光刻、刻蝕，保留左右兩側(cè)區(qū)域的柵氧化層和本征多晶硅層；

制作所述VDMOS器件的體區(qū)；

以三氯氧磷為反應氣體，進行本征多晶硅摻雜，形成具有飽和N型多晶硅層的柵極，并在體區(qū)中形成源區(qū)；

在形成源區(qū)后的圖案上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層為凹槽型；

對凹槽型介質(zhì)層進行光刻、刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部，并刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部下方的源區(qū)；

在刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部下方的源區(qū)后形成的圖案上形成金屬層，并制作金屬引線。

進一步地，如上所述的方法，所述對凹槽型介質(zhì)層進行光刻、刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部，并刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部下方的源區(qū)具體包括：

對凹槽型介質(zhì)層進行光刻、刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部，并保留進行光刻、刻蝕后的介質(zhì)層上方的光刻膠；

在所述光刻膠的阻擋下，對源區(qū)繼續(xù)進行刻蝕，刻蝕掉凹槽型介質(zhì)層的底部下方的源區(qū)。

進一步地，如上所述的方法，所述在N型外延層上生長柵氧化層并在所述柵氧化層上淀積本征多晶硅層，具體包括：