[發明專利]自發光型顯示裝置及其制作方法

有效

• 申請號: 201610286915.2
• 申請日: 2016-05-03
• 公開（公告）號: CN105932166B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 李先杰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種自發光型顯示裝置及其制作方法。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light Emitting Diodes，OLED)顯示器件具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。

OLED顯示器件屬于自發光型顯示設備，通常包括分別用作陽極、與陰極的像素電極、和公共電極、以及設在像素電極與公共電極之間的有機發光層，使得在適當的電壓被施加于陽極與陰極時，從有機發光層發光。有機發光層包括了設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層，其發光機理為在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子注入層和空穴注入層，電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層，并在發光層中相遇，形成激子并使發光分子激發，后者經過輻射弛豫而發出可見光。

隨著顯示技術的不斷發展，人們對顯示裝置的顯示質量要求也越來越高。量子點(Quantum Dots，QDs)通常是由Ⅱ-Ⅵ、或Ⅲ-Ⅴ族元素組成的球形半導體納米微粒，粒徑一般在幾納米至數十納米之間。量子點材料由于量子限域效應的存在，原本連續的能帶變成分立的能級結構，受外界激發后可發射可見光。量子點材料由于其發光峰具有較小的半高寬且發光顏色可通過量子點材料的尺寸、結構或成分進行簡易調節，因此，將其應用在顯示裝置中可有效地提升顯示裝置的色飽和度與色域。

量子點電致發光二極管(Quantum dots Light-emitting Diodes，QLED)和OLED一樣都是自發光型二極管，目前市面上的OLED顯示裝置都是采用蒸鍍成膜工藝制備，材料利用率低，導致成本居高不下，特別是大尺寸OLED顯示裝置尤為突出。而如果采用濕法成膜工藝制備OLED顯示器件或QLED顯示器件，則幾乎不會產生材料浪費，有利于降低OLED顯示器件或QLED顯示器件成本。但是采用濕法成膜工藝制備的藍光OLED或藍光QLED會出現發光效率低和壽命短的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種自發光型顯示裝置，能夠在不影響自發光型顯示裝置發光效率和壽命的前提下，降低生產成本，提升產品競爭力。

本發明的目的還在于提供一種自發光型顯示裝置的制作方法，能夠在不影響自發光型顯示裝置發光效率和壽命的前提下，降低生產成本，提升產品競爭力。

為實現上述目的，本發明提供了一種自發光型顯示裝置，包括：基板、位于所述基板上的藍光OLED、綠光QLED、和紅光QLED、位于所述藍光OLED，綠光QLED、和紅光QLED上的封裝膠材、及位于所述封裝膠材上方覆蓋所述基板的蓋板；

所述基板上具有數個陣列排布的藍色子像素區域、綠色子像素區域、及紅色子像素區域；

所述藍光OLED包括形成于所述藍色子像素區域上的第一陽極、形成于所述第一陽極上的藍光空穴注入層、及形成于所述藍光空穴注入層上的藍光空穴傳輸層；

所述綠光QLED包括形成于所述綠色子像素區域上的第二陽極、形成于所述第二陽極上的綠光空穴注入層、形成于所述綠光空穴注入層上的綠光空穴傳輸層、及形成于所述綠光空穴傳輸層上的綠光發光層；

所述紅光QLED包括形成于所述紅色子像素區域上的第三陽極、形成于所述第三陽極上的紅光空穴注入層、形成于所述紅光空穴注入層上的紅光空穴傳輸層、及形成于所述紅光空穴傳輸層上的紅光發光層；

所述藍光OLED、綠光QLED、及紅光QLED還共同包括形成于所述藍光空穴傳輸層、綠光發光層、及紅光發光層上的藍光共同層、形成于所述藍光共同層上的藍光發光層、形成于所述藍光發光層上的電子傳輸層、形成于所述電子傳輸層上的電子注入層、及形成于所述電子注入層上的陰極；

所述綠光發光層和紅光發光層均為QLED發光層，所述藍光發光層為OLED發光層。

所述基板為薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板、及設于所述襯底基板上的薄膜晶體管陣列。

所述藍光發光層的材料包含藍色有機小分子發光材料，所述藍光發光層采用蒸鍍成膜工藝制得。

所述綠光發光層和紅光發光層的材料分別包含綠光量子點發光材料和紅光量子點發光材料，所述綠光發光層和紅光發光層均采用濕法成膜工藝制得。

所述藍光發光層的膜厚為5nm至50nm；