[發(fā)明專利]自發(fā)光型顯示裝置及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610286915.2
• 申請(qǐng)日: 2016-05-03
• 公開（公告）號(hào): CN105932166B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李先杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，包括：基板(10)、位于所述基板(10)上的藍(lán)光OLED(30)、綠光QLED(40)、和紅光QLED(50)、位于所述藍(lán)光OLED(30)、綠光QLED(40)、和紅光QLED(50)上的封裝膠材(90)、及位于所述封裝膠材(90)上方覆蓋所述基板(10)的蓋板(100)；

所述基板(10)上具有數(shù)個(gè)陣列排布的藍(lán)色子像素區(qū)域、綠色子像素區(qū)域、及紅色子像素區(qū)域；

所述藍(lán)光OLED(30)包括形成于所述藍(lán)色子像素區(qū)域上的第一陽(yáng)極(31)、形成于所述第一陽(yáng)極(31)上的藍(lán)光空穴注入層(32)、及形成于所述藍(lán)光空穴注入層(32)上的藍(lán)光空穴傳輸層(33)；

所述綠光QLED(40)包括形成于所述綠色子像素區(qū)域上的第二陽(yáng)極(41)、形成于所述第二陽(yáng)極(41)上的綠光空穴注入層(42)、形成于所述綠光空穴注入層(42)上的綠光空穴傳輸層(43)、及形成于所述綠光空穴傳輸層(43)上的綠光發(fā)光層(44)；

所述紅光QLED(50)包括形成于所述紅色子像素區(qū)域上的第三陽(yáng)極(51)、形成于所述第三陽(yáng)極(51)上的紅光空穴注入層(52)、形成于所述紅光空穴注入層(52)上的紅光空穴傳輸層(53)、及形成于所述紅光空穴傳輸層(53)上的紅光發(fā)光層(54)；

所述藍(lán)光OLED(30)、綠光QLED(40)、及紅光QLED(50)還共同包括形成于所述藍(lán)光空穴傳輸層(33)、綠光發(fā)光層(44)、及紅光發(fā)光層(54)上的藍(lán)光共同層(34)、形成于所述藍(lán)光共同層(34)上的藍(lán)光發(fā)光層(35)、形成于所述藍(lán)光發(fā)光層(35)上的電子傳輸層(60)、形成于所述電子傳輸層(60)上的電子注入層(70)、及形成于所述電子注入層(70)上的陰極(80)；所述藍(lán)光共同層(34)用于將空穴從藍(lán)光空穴傳輸層(33)傳輸?shù)剿{(lán)光發(fā)光層(35)和將電子傳輸?shù)骄G光發(fā)光層(44)和紅光發(fā)光層(54)；

所述綠光發(fā)光層(44)和紅光發(fā)光層(54)均為QLED發(fā)光層，所述藍(lán)光發(fā)光層(35)為OLED發(fā)光層；

所述藍(lán)光發(fā)光層(35)的膜厚為5nm至50nm；

所述綠光發(fā)光層(44)和紅光發(fā)光層(54)的膜厚均為1nm至100nm。

2.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，所述基板(10)為薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板、及設(shè)于所述襯底基板上的薄膜晶體管陣列。

3.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，所述藍(lán)光發(fā)光層(35)的材料包含藍(lán)色有機(jī)小分子發(fā)光材料，所述藍(lán)光發(fā)光層(35)采用蒸鍍成膜工藝制得。

4.如權(quán)利要求1所述的自發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，所述綠光發(fā)光層(44)和紅光發(fā)光層(54)的材料分別包含綠光量子點(diǎn)發(fā)光材料和紅光量子點(diǎn)發(fā)光材料，所述綠光發(fā)光層(44)和紅光發(fā)光層(54)均采用濕法成膜工藝制得。