[發明專利]具有電極焊盤的發光二極管

有效

• 申請號: 201610286248.8
• 申請日: 2011-02-28
• 公開（公告）號: CN105742447B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 金藝瑟;金京完;尹余鎮;李珍雄;鄭多娟;禹尚沅;李錦珠;吳尚炫
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強

公開了包括電極焊盤的LED。該LED包括：基底；半導體堆疊，包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層和設置在它們之間的活性層；第一電極焊盤，電連接到第一導電類型半導體層；第一電極延伸體，從第一電極焊盤沿著第一邊緣的至少一部分和第三邊緣的至少一部分延伸，并電連接到第一導電類型半導體層；第二電極焊盤，電連接到第二導電類型半導體層；第二電極延伸體，從第二電極焊盤延伸；第一絕緣層，設置在第一電極焊盤與第二導電類型半導體層之間；第二絕緣功能層，設置在第二電極焊盤與第二導電類型半導體層之間；透明導電層，設置在第二導電類型半導體層上并位于第二電極延伸體與第二導電類型半導體層之間，與第一絕緣層分隔開。

本申請是申請日為2011年2月28日、申請號為201180055825.8(國際申請號為PCT/KR2011/001385)、題為“具有電極焊盤的發光二極管芯片”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種發光二極管芯片，更具體地講，涉及一種具有電極焊盤的發光二極管芯片。

背景技術

氮化鎵(GaN)基發光二極管(LED)已在包括自然色彩LED顯示器、 LED交通燈和白色LED等的廣泛應用中使用。近年來，期望高效白色LED 取代熒光燈，具體地講，白色LED的效率達到典型熒光燈的效率。

通常通過在例如藍寶石基底的基底上生長外延層來形成GaN基LED， GaN基LED包括n型半導體層、p型半導體層以及設置在n型半導體層和p 型半導體層之間的活性層。此外，n電極焊盤形成在n型半導體層上，p電極焊盤形成在p型半導體層上。LED通過這些電極焊盤電連接到外部電源并通過外部電源而工作。這里，電流從p電極焊盤經由半導體層流到n電極焊盤。

為了幫助電流在LED中擴散，LED包括從電極焊盤延伸出的延伸體。例如，第6650018號美國專利公開了LED包括從電極接觸部分(即，電極焊盤)沿相反的方向延伸出的多個延伸體，以增強電流擴散。使用從電極焊盤延伸出的延伸體可以通過電流擴散使LED的效率提高。

然而，n電極焊盤和n電極延伸體通常形成在通過蝕刻p型半導體層和活性層暴露的n型半導體層上。因此，n電極焊盤和n電極延伸體的形成導致發光面積減小，致使發光效率劣化。

同時，由于電極焊盤和電極延伸體由金屬形成，所以電極焊盤和電極延伸體吸收活性層中產生的光，從而導致光學損失。此外，雖然使用電極延伸體增強了電流擴散，但電流擁擠仍然發生在電極延伸體附近的區域處，導致電極延伸體誘發的光學損失。此外，由于電極焊盤和電極延伸體使用表現出低的反射率的諸如Cr的材料作為底層(underlyinglayer)，所以因電極焊盤和 /或電極延伸體的底部的光學吸收，光學損失變得嚴重。

此外，隨著LED的尺寸增大，LED中存在缺陷的可能性增大。例如，諸如穿透位錯(threading dislocation)和針孔(pin hole)的缺陷提供電流迅速流動所沿的通路，從而干擾LED中的電流擴散。

此外，當1mm²的大LED在大約200mA或更大的電流下工作時，電流通過這樣的缺陷或通過特定位置發生擁擠，LED遭受與電流密度相關的外部量子效率的嚴重減小，這被稱作光衰現象(droop phenomenon)。

發明內容

技術問題

本發明的示例性實施例提供了發光二極管芯片，所述發光二極管芯片被構造為防止發光面積因電極焊盤和/或電極延伸體的形成而減小。

本發明的示例性實施例提供了發光二極管芯片，所述發光二極管芯片通過減輕電極焊盤和電極延伸體附近的電流擁擠而允許在寬的區域上的均勻的電流擴散。

本發明的示例性實施例提供了發光二極管芯片，所述發光二極管芯片能夠防止由電極焊盤和電極延伸體導致的光學損失。