[發明專利]具有電極焊盤的發光二極管

有效

• 申請號: 201610286248.8
• 申請日: 2011-02-28
• 公開（公告）號: CN105742447B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 金藝瑟;金京完;尹余鎮;李珍雄;鄭多娟;禹尚沅;李錦珠;吳尚炫
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強

1.一種發光二極管，包括：

基底，具有第一邊緣、與第一邊緣相對的第二邊緣、連接第一邊緣和第二邊緣的第三邊緣以及與第三邊緣相對的第四邊緣，且第一邊緣、第二邊緣、第三邊緣和第四邊緣形成為基底的結構邊界；

半導體堆疊，設置在基底的一個表面上，半導體堆疊包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層以及設置在第一導電類型半導體層與第二導電類型半導體層之間的活性層；

第一電極焊盤，位于半導體堆疊的第二導電類型半導體上并電連接到第一導電類型半導體層；

第一電極延伸體，從第一電極焊盤延伸，并通過穿過第二導電類型半導體層和活性層以暴露第一導電類型半導體層的多個通孔電連接到第一導電類型半導體層，所述多個通孔沿第一電極延伸體以線形布置；

第二電極焊盤，電連接到第二導電類型半導體層，其中，第二電極焊盤設置在第二導電類型半導體層上并靠近基底的第二邊緣的至少一部分設置；

第二電極延伸體，從第二電極焊盤延伸；以及

保護絕緣層，設置在第一電極焊盤與第二導電類型半導體層之間以及第一電極延伸體與第二導電類型半導體層之間。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，保護絕緣層包括暴露第一導電類型半導體層的開口區域。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，所述發光二極管還包括第一功能層，所述第一功能層在第一電極焊盤和第一電極延伸體下面以點圖案設置在保護絕緣層與第二導電類型半導體層之間。

4.根據權利要求3所述的發光二極管，所述發光二極管還包括透明導電層和第二功能層，其中，透明導電層形成在第二導電類型半導體層上并且覆蓋第二功能層，第二功能層位于透明導電層與第二導電類型半導體層之間。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，所述發光二極管還包括：

下反射體，設置在基底的與其上設置有半導體堆疊的表面相對的表面上，

其中，下反射體包括具有不同折射率的交替堆疊的絕緣材料。

6.根據權利要求4所述的發光二極管，其中，第一功能層和第二功能層由絕緣材料或反射材料形成。

7.根據權利要求4所述的發光二極管，其中，透明導電層由氧化銦錫或Ni/Au形成。

8.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，基底是藍寶石基底、SiC基底或Si基底。

9.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

第一導電類型半導體層包括p型氮化物半導體層；

第二導電類型半導體層包括n型氮化物半導體層。

10.根據權利要求1所述的發光二極管，所述發光二極管還包括：設置在第二導電類型半導體層上的透明導電層，

其中，透明導電層包括暴露第一導電類型半導體層的一部分的區域。

11.根據權利要求3所述的發光二極管，所述發光二極管還包括第二功能層，其中，第二功能層設置在第二電極延伸體與第二導電類型半導體層之間以及第二電極焊盤與第二導電類型半導體層之間。

12.根據權利要求11所述的發光二極管，其中，第二功能層沿第二電極焊盤和第二電極延伸體以點圖案布置。

13.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，第一電極焊盤設置在第二導電類型半導體層上并靠近基底的第一邊緣的至少一部分設置。

14.根據權利要求3所述的發光二極管，所述發光二極管還包括：

透明導電層，設置在第二導電類型半導體層上并位于第二電極延伸體與第二導電類型半導體層之間以及第二電極焊盤與第二導電類型半導體層之間，

其中，透明導電層與第一功能層分隔開。