[發明專利]陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制作方法

有效

• 申請號: 201610284066.7
• 申請日: 2016-04-29
• 公開（公告）號: CN105789222B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 王質武
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括依次層疊設置的基板、柵極、柵極絕緣層和有源層，所述有源層包括源極轉接部和與所述源極轉接部相隔離的漏極轉接部，以及一體連接于所述源極轉接部和所述漏極轉接部的溝道，至少部分所述源極轉接部內嵌于所述溝道，且至少部分所述漏極轉接部內嵌于所述溝道，所述源極轉接部和所述漏極轉接部采用第一預設溫度下加工成型，所述溝道采用第二預設溫度下加工成型，所述第一預設溫度高于所述第二預設溫度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括阻擋層，所述阻擋層設有第一過孔和與所述第一過孔相隔離的第二過孔，以及位于所述第一過孔和所述第二過孔之間的遮光區，所述第一過孔和所述第二過孔分別曝露所述源極轉接部和所述漏極轉接部，所述遮光區遮蓋所述溝道。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在所述阻擋層上方的源極和漏極，所述源極穿過所述第一過孔與所述源極轉接部連接，所述漏極穿過所述第二過孔與所述漏極轉接部連接。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板包括塑膠層和層疊于所述塑膠層上的緩沖層，所述柵極層疊于所述緩沖層上與所述塑膠層相背。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層采用氧化物半導體制成，位于其兩端的所述源極轉接部和所述漏極轉接部通過激光晶化工序形成。

6.一種液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板包括上述權利要求1～5任意一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟：

在基板上依次成型出層疊的柵極、柵極絕緣層和金屬氧化物層，所述金屬氧化物層包括第一區域和與所述第一區域相隔離的第二區域，以及連接于所述第一區域和所述第二區域的第三區域；

對所述金屬氧化物層進行加工，所述第一區域和所述第二區域在第一預設溫度下分別形成源極轉接部和漏極轉接部，所述第三區域在第二預設溫度下形成溝道，其中，至少部分所述源極轉接部內嵌于所述溝道，且至少部分所述漏極轉接部內嵌于所述溝道。

8.根據權利要求7所述陣列基板制作方法，其特征在于，所述陣列基板制作方法還包括步驟：

在所述金屬氧化物層上成型出阻擋層，所述阻擋層具有第一過孔和與所述第一過孔相隔離的第二過孔，以及位于所述第一過孔和所述第二過孔之間的遮光區，所述第一過孔和所述第二過孔分別曝露所述第一區域和所述第二區域，所述遮光區遮蓋所述第三區域；

在所述對所述金屬氧化物層進行加工的步驟中，對所述阻擋層與所述金屬氧化物層相背一側進行退火加工。

9.根據權利要求8所述陣列基板制作方法，其特征在于，所述退火加工工序通過激光晶化工序實現。

10.根據權利要求8所述陣列基板制作方法，其特征在于，在金屬氧化物層上成型出阻擋層的步驟包括：

在所述金屬氧化物層上成型完整的待加工阻擋層；

在所述待加工阻擋層上對應所述第一區域處和所述第二區域處分別蝕刻出第一過孔和第二過孔。