[發(fā)明專利]陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610284066.7
• 申請日: 2016-04-29
• 公開（公告）號: CN105789222B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王質(zhì)武
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發(fā)明涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制作方法，所述陣列基板包括依次層疊設(shè)置的基板、柵極、柵極絕緣層和有源層，所述有源層包括源極轉(zhuǎn)接部和與所述源極轉(zhuǎn)接部相隔離的漏極轉(zhuǎn)接部，以及一體連接于所述源極轉(zhuǎn)接部和所述漏極轉(zhuǎn)接部的溝道。所述有源層包括源極轉(zhuǎn)接部和與所述源極轉(zhuǎn)接部相隔離的漏極轉(zhuǎn)接部，以及一體連接于所述源極轉(zhuǎn)接部和所述漏極轉(zhuǎn)接部的溝道，從而源極轉(zhuǎn)接保護和漏極轉(zhuǎn)接部與溝道形成一體結(jié)構(gòu)，即源極轉(zhuǎn)接部和漏極轉(zhuǎn)接部與溝道之間接觸電阻減小，并且溝道的界面缺陷減少，從而使得液晶顯示面板中薄膜晶體管經(jīng)源極轉(zhuǎn)接部和漏極轉(zhuǎn)接部的開態(tài)電流增大且關(guān)態(tài)電流減小，即開關(guān)比提高，從而提高所述陣列基板的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示屏領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制作方法。

背景技術(shù)

目前液晶顯示面板中的源極和所述漏極與溝道的成型步驟是分開的，即首先對金屬氧化物層在一定溫度下進行退火處理形成溝道后，在將源極和漏極連接于金屬氧化物層上，使得源極和漏極與金屬氧化物接觸后導(dǎo)通。然而，在此種處理辦法下，由于源極和漏極與金屬氧化物采用接觸的方式進行連接，從而導(dǎo)致源極和漏極與金屬氧化物層的接觸電阻較大，使得接觸特性較差，導(dǎo)致液晶顯示面板中的薄膜晶體管經(jīng)所述源極和所述漏極的開態(tài)電流(Ion)較小。同時，源極和漏極采用接觸的方式連接于金屬氧化物層還使得金屬氧化物層界面缺陷較多，導(dǎo)致液晶顯示面板中的薄膜晶體管經(jīng)源極和漏極的關(guān)態(tài)電流(Ioff)較大，從而使得薄膜晶體管的開關(guān)比(Ion/Ioff)較小，嚴重影響了液晶顯示面板中薄膜晶體管的性能，進而影響液晶顯示面板的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種提高開關(guān)比的陣列基板、液晶顯示面板及陣列基板制作方法。

本發(fā)明所提供的一種陣列基板，其中，所述陣列基板包括依次層疊設(shè)置的基板、柵極、柵極絕緣層和有源層，所述有源層包括源極轉(zhuǎn)接部和與所述源極轉(zhuǎn)接部相隔離的漏極轉(zhuǎn)接部，以及一體連接于所述源極轉(zhuǎn)接部和所述漏極轉(zhuǎn)接部的溝道，所述源極轉(zhuǎn)接部和所述漏極轉(zhuǎn)接部采用第一預(yù)設(shè)溫度下加工成型，所述溝道采用第二預(yù)設(shè)溫度下加工成型，所述第一預(yù)設(shè)溫度高于所述第二預(yù)設(shè)溫度。

其中，所述陣列基板還包括阻擋層，所述阻擋層設(shè)有第一過孔和與所述第一過孔相隔離的第二過孔，以及位于所述第一過孔和所述第二過孔之間的遮光區(qū)，所述第一過孔和所述第二過孔分別曝露所述源極轉(zhuǎn)接部和所述漏極轉(zhuǎn)接部，所述遮光區(qū)遮蓋所述溝道。

其中，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述阻擋層上方的源極和漏極，所述源極穿過所述第一過孔與所述源極轉(zhuǎn)接部連接，所述漏極穿過所述第二過孔與所述漏極轉(zhuǎn)接部連接。

其中，所述基板包括塑膠層和層疊于所述塑膠層上的緩沖層，所述柵極層疊于所述緩沖層上與所述塑膠層相背。

其中，所述有源層采用氧化物半導(dǎo)體制成，位于其兩端的所述源極轉(zhuǎn)接部和所述漏極轉(zhuǎn)接部通過激光晶化工序形成。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，其中，所述液晶顯示面板包括上述任意一項所述的陣列基板。

本發(fā)明還提供一種陣列基板制作方法，包括步驟：

在基板上依次成型出層疊的柵極、柵極絕緣層和金屬氧化物層，所述金屬氧化物層包括第一區(qū)域和與所述第一區(qū)域相隔離的第二區(qū)域，以及連接于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的第三區(qū)域；

對所述金屬氧化物層進行加工，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域在第一預(yù)設(shè)溫度下分別形成源極轉(zhuǎn)接部和漏極轉(zhuǎn)接部，所述第三區(qū)域在第二預(yù)設(shè)溫度下形成溝道。

其中，所述陣列基板制作方法還包括步驟：

在所述金屬氧化物層上成型出阻擋層，所述阻擋層具有第一過孔和與所述第一過孔相隔離的第二過孔，以及位于所述第一過孔和所述第二過孔之間的遮光區(qū)，所述第一過孔和所述第二過孔分別曝露所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域，所述遮光區(qū)遮蓋所述第三區(qū)域；