[發明專利]光檢測裝置

有效

• 申請號: 201610280956.0
• 申請日: 2012-08-02
• 公開（公告）號: CN105870244B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 永野輝昌;細川暢郎;鈴木智史;馬場隆
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L27/14;H01L27/146;H01L31/02;H01L31/10
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 楊琦,黃浩

1.一種光檢測裝置，其特征在于，

具備：

半導體光檢測元件，具有：包含相互相對的第一和第二主面的半導體基板；多個雪崩光電二極管，以蓋革模式動作并且形成在所述半導體基板內；以及第一電極，相對于各所述雪崩光電二極管電連接并且配置在所述半導體基板的所述第二主面側；

搭載基板，其具有與所述半導體基板的所述第二主面相對的第三主面以及對應于每個所述第一電極而配置在所述第三主面側的多個第二電極，并且與所述半導體光檢測元件相對配置；以及

滅弧電路，其相對于各所述第二電極電連接，

所述第一電極與對應于該第一電極的所述第二電極經由凸點電極而電連接，

所述滅弧電路不配置于所述半導體基板上而是配置于所述搭載基板上，

通過使互相對應的所述第一電極和所述第二電極電連接，各個所述雪崩光電二極管與對應的所述滅弧電路串聯連接。

2.如權利要求1所述的光檢測裝置，其特征在于，

各所述雪崩光電二極管包含：

第一導電型的所述半導體基板；

第二導電型的第一半導體區域，其形成在所述半導體基板的所述第一主面側；

第二導電型的第二半導體區域，其形成在所述第一半導體區域內且雜質濃度比所述第一半導體區域高；以及

第三電極，其配置在所述半導體基板的所述第一主面側且電連接于所述第二半導體區域，

在所述半導體基板，針對每個所述雪崩光電二極管而形成有從所述第一主面側貫通至所述第二主面側為止且將對應的所述第三電極與所述第一電極電連接的貫通電極。

3.如權利要求1所述的光檢測裝置，其特征在于，

各所述雪崩光電二極管具有：

第一導電型的所述半導體基板；

第二導電型的第一半導體區域，其形成在所述半導體基板的所述第二主面側；以及

第一導電型的第二半導體區域，其與所述第一半導體區域構成PN結且雜質濃度比所述半導體基板高，

所述第一半導體區域與所述第一電極電連接。

4.如權利要求1至3中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于,

所述搭載基板還包含并聯地連接有所述滅弧電路的共用電極。

5.如權利要求1至3中任一項所述的光檢測裝置，其特征在于，

所述滅弧電路是無源滅弧電路或有源滅弧電路。

6.如權利要求4所述的光檢測裝置，其特征在于，

所述滅弧電路是無源滅弧電路或有源滅弧電路。