[發(fā)明專利]包括結(jié)終端延伸結(jié)構(gòu)的超結(jié)半導(dǎo)體器件及制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610275891.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106409906B | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | F.希爾勒;D.圖圖克;A.韋爾克爾;H.韋伯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/78 | 分類號(hào): | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠偉進(jìn);杜荔南 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 終端 延伸 結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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