[發明專利]石墨烯電磁線圈的CVD成膜方法

在審

• 申請號: 201610268863.6
• 申請日: 2016-04-27
• 公開（公告）號: CN105779963A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 王勇;楊曉晶
• 申請（專利權）人: 北京晶晶星科技有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.石墨烯電磁線圈的CVD成膜方法。其特征是：選擇合適的基底材料(這些材料可以是鎳、 銅、二氧化硅、PET中的一種或兩種以上的組合)，根據所用石墨烯的親/疏水性，選擇與 其性能相反的疏/親水涂料，在基底材料的表面絲印與線圈圖形相反的圖案——線圈的絕 緣空間；將制作好的基底材料置于CVD反應室內，進行CVD成膜；根據CVD反應的實 際工況和對石墨烯膜層厚度的要求，控制反應時間，得到滿足設計要求的石墨烯膜；去除 涂料，形成完整的石墨烯線圈；采用導電性能良好的金屬(銅或銀)在制作完成的石墨烯 線圈的兩個端點制作接線端子。

2.按照權利要求1所述的石墨烯電磁線圈的CVD成膜方法，選擇的基底材料具有明顯的特 性。其特征是：這些材料可以是鎳、銅、二氧化硅、PET中的一種或兩種及以上的組合。

3.按照權利要求1所述的設定初級繞組中電流的流動方向具有顯著特點。其特征是：本發明 所采用的CVD工藝可以是以下CVD方法中的一種或兩種及以上的組合：低壓CVD—— LPCVD，常壓CVD——APCVD，亞常壓CVD——SACVD，超高真空CVD——UHCVD， 等離子體增強CVD——PECVD，高密度等離子體CVD——HDPCVD以及快熱CVD—— RTCVD，金屬有機物CVD——MOCVD。

4.按照權利要求1所述的石墨烯電磁線圈的CVD成膜方法，需要使用到易溶性涂料。其特 征是：所使用的易溶性涂料具有親水性與疏水性之分；選擇使用的涂料的親/疏水性必須 與石墨烯的親/疏水性相反。

5.按照權利要求1所述的石墨烯電磁線圈的CVD成膜方法，易溶涂料的涂覆工藝有明顯的 特征。其特征是：選用的易溶涂料采用絲印工藝涂覆到基底材料擬制備石墨烯線圈的表面。

6.按照權利要求1所述的石墨烯電磁線圈的CVD成膜方法，接線端子采用導電金屬制作。 其特征是：采用導電性能良好的金屬(銅或銀)在制作完成的石墨烯線圈的兩個端點制作 接線端子。