[發明專利]半導體芯片模塊和包括該半導體芯片模塊的半導體封裝件

有效

• 申請號: 201610268315.3
• 申請日: 2016-04-27
• 公開（公告）號: CN106601717B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 徐鉉哲;金俊植
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝;劉久亮<國際申請>=<國際公布>=

半導體芯片模塊和包括該半導體芯片模塊的半導體封裝件。該模塊包括芯片單元，包括第一和第二半導體芯片且具有第一表面，第一和第二半導體芯片在單體上形成為在第一方向上與介于其間的劃線區域相鄰，第一和第二半導體芯片的接合焊盤位于第一表面上；重分配線，形成在第一表面上，具有分別與接合焊盤電聯接的一組端部，且在與第一方向傾斜的方向上向劃線區域延伸；及重分配焊盤，設置在第一表面上，且與重分配線的另一組端部電聯接。重分配焊盤包括：共享重分配焊盤，共同與和第一半導體芯片的接合焊盤電聯接的重分配線及和第二半導體芯片的接合焊盤電聯接的重分配線電聯接；及單獨重分配焊盤，各自與未與共享重分配焊盤電聯接的重分配線電聯接。

技術領域

各種實施方式總體上涉及一種半導體技術，且更具體地，涉及一種半導體芯片模塊和包括該半導體芯片模塊的半導體封裝件。

背景技術

在半導體裝置中出現的故障模式存在各種類型。由電現象引起的故障模式包括電氣過載(EOS)和靜電釋放(ESD)。

ESD現象指的是隨著靜電流動而發生的現象。由ESD現象引起的靜電流可能被施加到半導體裝置中的二極管或晶體管，并破壞這些元件的功能。也就是說，由靜電引發的高電流被施加到二極管的PN結之間并導致結穿刺(junction spike)，或者損壞晶體管的柵極介電層并且使柵極、漏極和源極短路，由此使元件的可靠性顯著下降。

根據靜電產生的原因，ESD現象被分類成人體模型(HBM)、機器模型(MM)和帶電裝置模型(CDM)。HBM表示在帶電人體內產生的靜電通過半導體裝置中的元件被瞬間放電并且損壞該元件的現象。MM表示在帶電機器內產生的靜電通過半導體裝置中的元件被瞬間放電并且損壞該元件的現象。CDM表示在制造半導體裝置的過程中在半導體裝置內累積的靜電通過與外部導體接地被瞬間放電并且損壞該半導體裝置中的元件的現象。

在CDM中，因為半導體裝置自身被該半導體裝置中帶電的電荷損壞，所以CDM對產品的可靠性施加有重大影響。因此，半導體裝置制造商不斷努力通過充放電建模來測量CDM特性，并由此確保由客戶所要求的CDM特性級別。

發明內容

在一種實施方式中，一種半導體芯片模塊可以包括芯片單元，所述芯片單元包括第一半導體芯片和第二半導體芯片，并且具有第一表面和背離所述第一表面的第二表面，所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片在單一體上被形成為在第一方向上與介于所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間的劃線區域相鄰，所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的接合焊盤位于所述第一表面上。所述半導體芯片模塊還包括多條重分配線，所述多條重分配線被形成在所述第一表面上，具有分別與所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的所述接合焊盤電聯接的一組端部，并且在與所述第一方向傾斜的方向上朝向所述劃線區域延伸。所述半導體芯片模塊還包括多個重分配焊盤，所述多個重分配焊盤被設置在所述第一表面上，并且與所述重分配線的背離所述一組端部的另一組端部電聯接。所述重分配焊盤包括：一個或更多個共享重分配焊盤，所述一個或更多個共享重分配焊盤共同地與和所述第一半導體芯片的所述接合焊盤電聯接的一條或更多條所述重分配線以及和所述第二半導體芯片的所述接合焊盤電聯接的一條或更多條所述重分配線電聯接；以及多個單獨的重分配焊盤，所述多個單獨的重分配焊盤各自與未與所述共享重分配焊盤電聯接的所述重分配線電聯接。