[發明專利]光擴散粉、光擴散粉的制備方法、量子點光刻膠及量子點彩膜

有效

• 申請號: 201610266767.8
• 申請日: 2016-04-26
• 公開（公告）號: CN105694042B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 周婷婷;張斌;齊永蓮;謝蒂旎;蔣勇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C08G77/18
• 分類號: C08G77/18;G03F7/004;G03F7/033;G03F7/038
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種量子點光刻膠，其特征在于，包括光擴散粉，

所述光擴散粉的制備方法，包括以下步驟：

將烷氧基硅烷溶于有機溶劑中，將烷氧基硅烷與帶有不飽和鍵的有機物反應，形成聚合物鏈；加入酸溶液或堿溶液加熱反應，減壓加熱固化后，經過陳化3～10天，得到固化物；

將所述固化物依次洗滌，得到光擴散粉；

所述烷氧基硅烷具有式I結構：

其中R1為C1～C50烷基；R’為烷基或取代烷基，且所述R’基團具有不飽和鍵。

2.根據權利要求1所述的量子點光刻膠，其特征在于，所述R’如以下結構所示：

其中，A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、J獨立的選自以下基團：氫、C1～C50的直鏈或支鏈烷基、苯基、鹵素修飾的苯基、鹵素、酚羥基、羧基、羥基、C3～C6的環烷基、C2～C10直鏈烯烴、-NHR”、巰基、胺基、甲酰基、-COOCH、-SO₂NH₂、-NHNH₂、-CONHNH₂、-SO₃R”、噻吩基、吡啶基、吡咯基、咪唑基、苯胺基、呋喃基、咔唑基；

R”為C1～C20的烷基；

E選自以下基團：-C＝C-、-C≡C-；

m,n,b,p,q,r分別為0-1000000的整數；b和r不同時為0。

3.根據權利要求1所述的量子點光刻膠，其特征在于，所述烷氧基硅烷為甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷。

4.根據權利要求3所述的量子點光刻膠，其特征在于，利用甲基丙烯酸酯與所述甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷進行反應，形成聚合物鏈。

5.根據權利要求1所述的量子點光刻膠，其特征在于，光擴散粉的粒徑為1nm-1um。

6.根據權利要求1所述的量子點光刻膠，其特征在于，所述光擴散粉的添加量為0.1wt％-50wt％。

7.根據權利要求1所述的量子點光刻膠，其特征在于，所述量子點光刻膠還包括0.05wt％-50wt％量子點、5wt％-45wt％粘合劑、0.5wt％-18wt％可聚合單體、0.1wt％-3wt％光引發劑、0.1wt％-7wt％硅烷偶聯劑、0.1wt％-1wt％其他助劑和40wt％-85wt％溶劑。

8.根據權利要求1所述的量子點光刻膠，其特征在于，所述光擴散粉均勻的分布在所述量子點光刻膠中。

9.一種量子點彩膜，其特征在于，由權利要求1～8任意一項所述的量子點光刻膠制成。