[發明專利]一種雙靶直流共濺射制備銅銦鎵硒吸收層的方法有效

申請號：	201610266729.2	申請日：	2016-04-27
公開（公告）號：	CN105870254B	公開（公告）日：	2017-08-25
發明（設計）人：	杜祖亮;程軻;薛明	申請（專利權）人：	河南大學
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18
代理公司：	鄭州聯科專利事務所(普通合伙)41104	代理人：	時立新,周闖
地址：	475001***	國省代碼：	河南;41
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種直流濺射制備銅銦鎵硒吸收方法
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【權利要求書】：

1.一種雙靶直流共濺射制備銅銦鎵硒吸收層的方法，其特征在于，包括以下步驟：①提供基底，共濺射CuGa合金靶和In靶，所述CuGa合金靶的原子數比為Cu:Ga=4:1，制備銅銦鎵預制層，共濺射的工藝條件為：本底真空為4~5×10-4Pa，工作壓強0 .5~0 .6 Pa，In靶的濺射功率為80 W，CuGa合金靶的濺射功率為25 W，濺射時間35~40 min；②將銅銦鎵預制層放入快速退火爐中，20~25s內升溫至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷卻至室溫，即可得到銅銦鎵硒吸收層。

2.如權利要求1所述雙靶直流共濺射制備銅銦鎵硒吸收層的方法，其特征在于：步驟①中所用的基底為鍍鉬的鈉鈣玻璃基底。

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