[發明專利]晶圓級封裝件及其制造方法有效
| 申請號: | 201610264180.3 | 申請日: | 2016-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN106898579B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發明(設計)人: | 李文喆;金德煥;李玲揆;李在昌;金泰潤;閔慶福 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓級 封裝 及其 制造 方法 | ||
提供一種晶圓級封裝件及其制造方法,所述晶圓級封裝件包括:晶圓構件,具有設置了電路元件的內腔;元件壁構件,設置在晶圓構件的內表面上且包圍設置了所述電路元件的元件部分;以及間隙壁構件,布置在所述元件壁構件的外表面上且將所述元件部分之間的空間劃分成間隙部分。
本申請要求于2015年12月18日在韓國知識產權局提交的10-2015-0181485號韓國專利申請的優先權和權益,該申請的全部公開內容出于所有目的通過引用包含于此。
技術領域
下面的描述涉及一種晶圓級封裝件及其制造方法。
背景技術
隨著近來半導體元件小型化的趨勢,已增加了對于晶圓級封裝技術的興趣。晶圓級封裝技術指的是如下半導體封裝技術:其與從晶圓分離芯片且封裝從晶圓切除的獨立芯片的現有技術方案不同,該半導體封裝技術涉及封裝芯片未分離的晶圓。在晶圓級封裝方法中,可以在晶圓的封裝之后切割獨立的芯片。
制造半導體裝置大體上涉及四個單獨的步驟,包括電路設計步驟、晶圓加工步驟、組裝步驟以及測試步驟。在這些步驟中,組裝步驟涉及配線連接步驟和封裝步驟。這些步驟涉及從已完成加工的晶圓切除獨立芯片、將各獨立芯片附著到小型電路板、連接配線以及隨后利用塑料封裝件覆蓋小型電路板的技術方案。
然而,在晶圓級封裝技術方案中,不是將作為封裝材料的塑料施加于獨立芯片、連接配線且再施加絕緣材料,而是通過在晶圓上涂覆感光絕緣材料的簡單工序來進行封裝步驟。
當應用如上所述的封裝技術時,諸如配線連接步驟和塑料封裝步驟等的半導體組裝步驟被縮短了。另外,不需要在現有技術中已用于組裝半導體的塑料封裝材料、電路板、配線連接用配線等,使得可以顯著地減少制造成本。
發明內容
提供本發明內容用于以簡化形式介紹在下面的具體實施方式中進一步描述的發明構思的選擇。本發明內容并不意在確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要技術特征,也不意在用于幫助決定所要求保護的主題的范圍。
在一個總體方面,一種晶圓級封裝件,包括:晶圓構件,具有設置了電路元件的內腔;元件壁構件,設置在晶圓構件的內表面上且包圍設置了所述電路元件的元件部分;以及間隙壁構件,布置在所述元件壁構件的外表面上且將所述元件部分之間的空間劃分成間隙部分。
所述晶圓構件可包括蓋晶圓和裝置晶圓,該裝置晶圓結合到所述蓋晶圓以形成所述內腔,所述間隙壁構件可從所述蓋晶圓和所述裝置晶圓中的至少一者的內表面突出。
所述間隙壁構件可從所述晶圓構件的內表面突出且可形成臺階形狀。
所述間隙壁構件可從所述晶圓構件的內表面突出且可形成漸縮形狀。
包圍所述電路元件的所述元件壁構件可以具有棱柱形狀(prismatic shape)。
所述電路元件可設置于相應的元件部分中,相應的電路元件可連接到所述元件壁構件。
所述電路元件中的至少一者可與體聲波(BAW)諧振器對應。
在另一總體方面,一種晶圓級封裝件的制造方法,涉及:通過形成元件壁構件和間隙壁構件來制造裝置晶圓和蓋晶圓,所述元件壁構件形成包圍電路元件的元件部分的邊界,所述間隙壁構件設置在所述元件壁構件的外表面上以封閉所述元件部分之間的空間中的間隙部分;以及利用接合材料使所述裝置晶圓和所述蓋晶圓彼此接合,使得所述電路元件設置在所述裝置晶圓和所述蓋晶圓的組合結構的內側。
該方法的總體方面還涉及沿著所述間隙部分切割所述裝置晶圓和所述蓋晶圓。
在另一總體方面,一種晶圓級封裝件,包括:第一晶圓和第二晶圓,這兩者之間具有空間;第一壁構件,其將所述空間的一部分指定為元件部分,所述元件部分包括一個或更多個電路元件;以及第二壁構件,其將所述空間的在所述元件部分外側的部分劃分成間隙部分。
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