[發(fā)明專利]封裝件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610263531.9
• 申請日: 2016-04-26
• 公開（公告）號: CN107316817B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 殷原梓
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種封裝件的制造方法，其特征在于，包括：

提供管芯，所述管芯包括：

具有電路的襯底；

在所述襯底上的第一鈍化層，所述第一鈍化層包括依次在所述襯底上的第一絕緣介質(zhì)層、第二絕緣介質(zhì)層和第三絕緣介質(zhì)層的疊層；

在所述第一鈍化層上的多個焊盤，所述多個焊盤包括第一焊盤，所述第一焊盤鄰近襯底邊緣，并且在所述第一焊盤和與之鄰近的襯底邊緣的方向上，所述第一焊盤相對于別的焊盤更靠近所述襯底邊緣；和

在所述第一鈍化層上并且覆蓋所述多個焊盤的第二鈍化層，所述第二鈍化層包括由氮化物層和氧化物層組成的疊層，所述焊盤使得所述第二鈍化層覆蓋所述焊盤的部分突出于與其相鄰的所述第二鈍化層的部分；

以所述第二絕緣介質(zhì)層為蝕刻停止層，對在所述第一焊盤的最靠近所述襯底邊緣的外側(cè)的所述第一鈍化層上的第二鈍化層和所述第一絕緣介質(zhì)層進行刻蝕以形成溝槽，所述溝槽距離所述第二鈍化層的突出的部分一定距離，所述溝槽為圍繞所述電路的環(huán)狀溝槽；

在形成溝槽后的管芯上形成有機聚合物，并對所述有機聚合物進行固化處理，從而形成封裝件；

其中，所述管芯還包括在所述管芯邊緣圍繞所述電路的密封件，所述溝槽位于所述多個焊盤和所述密封件之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述環(huán)狀溝槽至少為兩個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一絕緣介質(zhì)層和所述第三絕緣介質(zhì)層包括氮化物層，所述第二絕緣介質(zhì)層包括氧化物層。

4.一種封裝件，其特征在于，包括：

管芯，所述管芯包括：

包括電路的襯底；

在所述襯底上的第一鈍化層，所述第一鈍化層包括依次在所述襯底上的第一絕緣介質(zhì)層、第二絕緣介質(zhì)層和第三絕緣介質(zhì)層的疊層；

在所述第一鈍化層上的多個焊盤，所述多個焊盤包括第一焊盤，所述第一焊盤鄰近襯底邊緣，并且在所述第一焊盤和與之鄰近的襯底邊緣的方向上，所述第一焊盤相對于別的焊盤更靠近所述襯底邊緣；

在所述第一鈍化層上并且覆蓋所述多個焊盤的第二鈍化層，所述第二鈍化層包括由氮化物層和氧化物層組成的疊層，所述焊盤使得所述第二鈍化層覆蓋所述焊盤的部分突出于與其相鄰的所述第二鈍化層的部分；

其中，在所述第一焊盤的最靠近所述襯底邊緣的外側(cè)的所述第一鈍化層上的第二鈍化層和所述第一絕緣介質(zhì)層中形成有溝槽，所述溝槽停止在所述第二絕緣介質(zhì)層，所述溝槽距離所述第二鈍化層的突出的部分一定距離，所述溝槽為圍繞所述電路的環(huán)狀溝槽；在所述第二鈍化層之上并填充所述溝槽的有機聚合物；

其中，所述管芯還包括在所述管芯邊緣圍繞所述電路的密封件，所述溝槽位于所述多個焊盤和所述密封件之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，所述環(huán)狀溝槽至少為兩個。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝件，其特征在于，

所述第一絕緣介質(zhì)層和所述第三絕緣介質(zhì)層包括氮化物層，所述第二絕緣介質(zhì)層包括氧化物層。