[發(fā)明專利]封裝件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610263531.9
• 申請日: 2016-04-26
• 公開（公告）號: CN107316817B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 殷原梓
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

本發(fā)明公開了一種封裝件及其制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。其中，所述方法包括：提供管芯，所述管芯包括：具有電路的襯底；在所述襯底上的第一鈍化層；在所述第一鈍化層上的多個焊盤；和在所述第一鈍化層上并且覆蓋所述多個焊盤的第二鈍化層；對在所述多個焊盤外側(cè)的所述第一鈍化層上的第二鈍化層進行刻蝕以形成溝槽；在形成溝槽后的管芯上形成有機聚合物，從而形成封裝件。本發(fā)明實施例能夠抑制焊盤上的第二鈍化層產(chǎn)生裂紋。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

晶片級球柵陣列封裝(Wafer Level Ball Grid Array Package，WLBGA)已成為先進的封裝技術(shù)。由于能夠節(jié)省體積，并且能滿足最大接合需求，WLBGA已被廣泛應(yīng)用。

但是，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在45nm和55nm工藝中，按照現(xiàn)有的WLBGA技術(shù)所形成的封裝件存在如下問題：焊盤上的鈍化層會由于有機聚合物引起的應(yīng)力而產(chǎn)生裂紋，從而導(dǎo)致焊盤被腐蝕，使得芯片失效。這種問題是典型的芯片封裝集成中存在的問題。

在更先進的封裝工藝中，由于尺寸減小，薄膜應(yīng)力變得相對更大并且熱預(yù)算更高，從而使得上述問題可能會更嚴重。

因此，亟須一種方案能夠抑制焊盤上的鈍化層產(chǎn)生裂紋。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一個實施例的目的在于提出一種封裝件及其制造方法，能夠抑制焊盤上的鈍化層產(chǎn)生裂紋，以及提高封裝件的可靠性和良品率。

根據(jù)本公開的一個實施例，提供了一種封裝件的制造方法，包括：提供管芯(die)，所述管芯包括：具有電路的襯底；在所述襯底上的第一鈍化層；在所述第一鈍化層上的多個焊盤；和在所述第一鈍化層上并且覆蓋所述多個焊盤的第二鈍化層；對在所述多個焊盤外側(cè)的所述第一鈍化層上的第二鈍化層進行刻蝕以形成溝槽；在形成溝槽后的管芯上形成有機聚合物，從而形成封裝件。

在一個實施方式中，所述多個焊盤包括第一焊盤，所述第一焊盤鄰近襯底邊緣，并且在所述第一焊盤和與之鄰近的襯底邊緣的方向上，所述第一焊盤相對于別的焊盤更靠近所述襯底邊緣；所述對在所述多個焊盤外側(cè)的所述第一鈍化層上的第二鈍化層進行刻蝕以形成溝槽包括：對在所述第一焊盤的最靠近所述襯底邊緣的外側(cè)的所述第一鈍化層上的第二鈍化層進行刻蝕以形成所述溝槽。

在一個實施方式中，所述焊盤使得所述第二鈍化層覆蓋所述焊盤的部分突出于與其相鄰的所述第二鈍化層的部分；所述溝槽距離所述第二鈍化層的突出的部分一定距離。

在一個實施方式中，所述方法還包括：對所述有機聚合物進行固化處理。

在一個實施方式中，所述溝槽延伸到所述第一鈍化層中。

在一個實施方式中，所述第一鈍化層包括第一絕緣介質(zhì)層、第二絕緣介質(zhì)層和第三絕緣介質(zhì)層的疊層；所述方法還包括：以所述第二絕緣介質(zhì)層為蝕刻停止層對所述第一絕緣介質(zhì)層進行刻蝕。

在一個實施方式中，所述溝槽為圍繞所述電路的環(huán)狀溝槽。

在一個實施方式中，所述環(huán)狀溝槽至少為兩個。

在一個實施方式中，所述管芯還包括在管芯邊緣附近的圍繞所述電路的密封件；所述溝槽位于所述焊盤和所述密封件之間。

在一個實施方式中，所述第一鈍化層包括由氮化物層和氧化物層組成的疊層；所述第二鈍化層包括由氮化物層和氧化物層組成的疊層。

根據(jù)本公開的另一個實施例，提供了一種封裝件，包括：管芯，所述管芯包括：包括電路的襯底；在所述襯底上的第一鈍化層；在所述第一鈍化層上的多個焊盤；在所述第一鈍化層上并且覆蓋所述多個焊盤的第二鈍化層；其中，在所述多個焊盤外側(cè)的所述第一鈍化層上的第二鈍化層中形成有溝槽；在所述第二鈍化層之上并填充所述溝槽的有機聚合物。