[發明專利]一種自愈性高方阻薄膜電容器

在審

• 申請號: 201610262447.5
• 申請日: 2016-04-26
• 公開（公告）號: CN105702455A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 王金兵
• 申請（專利權）人: 銅陵市新洲電子科技有限責任公司
• 主分類號: H01G4/015
• 分類號: H01G4/015;H01G4/33
• 代理公司: 合肥鼎途知識產權代理事務所(普通合伙) 34122
• 代理人: 王學勇

技術領域

本發明涉及一種自愈性高方阻薄膜電容器，屬于電容器技術領域。

背景技術

目前電容器在電力電子、通訊設施及軌道運輸等領域應用廣泛，隨著科技水平的發展，電容器憑借其良好的電力性能和高可靠性，成為推動上述行業領域更新換代不可或缺的電子元件。目前電容器中普遍采用薄膜電極，即現有技術中大都采用厚度一致、方阻相同的金屬化薄膜。

該類薄膜在實際使用過程中發現，若金屬薄膜厚度較薄，則能夠產生較大方阻，金屬鍍層自愈性較佳，但載流能力較低，電極容易發熱導致電容器使用壽命較低。而如果使用較厚的金屬鍍層，雖然一定程度上載流能力得以提高，但是金屬鍍層自愈時需要較大能量，自愈性較差，容易發生電極薄膜擊穿、引發電容器外殼膨脹甚至爆炸，存在一定安全隱患，因此如何兼顧薄膜電極的自愈性和載流能力，是薄膜電容器領域存在的難題。

發明內容

為解決現有技術中存在的問題，本發明提供了一種自愈性高方阻薄膜電容器，具體技術方案如下：

一種自愈性高方阻薄膜電容器，所述電容器內薄膜電極由一塊金屬化薄膜分切而成，所述金屬化薄膜包括基膜，所述基膜上均勻蒸鍍有一層Al層，所述Al層上蒸鍍有一層截面為“Ω”形狀的Zn層，所述金屬化薄膜兩側超出Al層和Zn層后形成空白區。

作為上述技術方案的改進，所述Zn層中部設置有加厚區。

作為上述技術方案的改進，所述金屬化薄膜以加厚區為分界呈左右對稱，所述Zn層兩側遠離加厚區的位置厚度逐漸降低。

作為上述技術方案的改進，所述金屬化薄膜自加厚區中心處分切成兩份，所述加厚區分切為第一加厚區和第二加厚區，所述Zn層分切為第一Zn層和第二Zn層，所述Al層分切為第一Al層和第二Al層，所述基膜分切為第一基膜和第二基膜，所述第一基膜一側具有第一空白區，所述第二基膜一側具有第二空白區。

作為上述技術方案的改進，所述第一基膜上靠近第一Al層和第一加厚區的位置焊接有第一電極引出端，所述第二基膜上靠近第二Al層和第二加厚區的位置焊接有第二電極引出端。

上述技術方案采用一塊金屬化薄膜分切成兩塊薄膜電極，確保兩塊薄膜電極材質、性能基本相同，產品使用穩定性更高，有益效果顯著。

附圖說明

圖1為本發明一種自愈性高方阻薄膜電容器內薄膜電極分切前的金屬化薄膜的結構示意圖；

圖2為本發明中薄膜電極的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發明提供了一種自愈性高方阻薄膜電容器，所述電容器內薄膜電極由一塊金屬化薄膜1分切而成，所述金屬化薄膜1包括基膜10，所述基膜10上均勻蒸鍍有一層Al層20，所述Al層20上蒸鍍有一層截面為“Ω”形狀的Zn層30，所述金屬化薄膜1兩側超出Al層20和Zn層30后形成空白區11。該技術方案采用一塊金屬化薄膜1分切成兩塊薄膜電極，確保兩塊薄膜電極材質、性能基本相同，產品使用穩定性更高。

進一步的，所述Zn層30中部設置有加厚區31，該加厚區31的作用有兩方面，其一是方便金屬化薄膜1裁切時進行參照；其二是在裁切后進行電極引出端焊接時增加焊接區域大小，從而提高焊接成功率。

更進一步的，所述金屬化薄膜1以加厚區31為分界呈左右對稱，所述Zn層30兩側遠離加厚區31的位置厚度逐漸降低，該優選方案通過采用厚度漸變的Zn層，金屬鍍層的方阻自加厚區31逐漸向空白區11增大，使電容器薄膜電極的電流密度趨于均勻，有效的解決了厚度一致的金屬鍍層存在的自愈性和載流能力難以兼顧的問題。

更進一步的，如圖2所示，所述金屬化薄膜1自加厚區31中心處分切成兩份，所述加厚區31分切為第一加厚區31a和第二加厚區31b，所述Zn層30分切為第一Zn層30a和第二Zn層30b，所述Al層20分切為第一Al層20a和第二Al層20b，所述基膜10分切為第一基膜10a和第二基膜10b，所述第一基膜10a一側具有第一空白區11a，所述第二基膜10b一側具有第二空白區11b。該優選方案提供了一種具體結構的薄膜電極分切結構。

更進一步的，所述第一基膜10a上靠近第一Al層20a和第一加厚區31a的位置焊接有第一電極引出端40，所述第二基膜10b上靠近第二Al層20b和第二加厚區31b的位置焊接有第二電極引出端41。