[發明專利]一種自愈性高方阻薄膜電容器

在審

• 申請號: 201610262447.5
• 申請日: 2016-04-26
• 公開（公告）號: CN105702455A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 王金兵
• 申請（專利權）人: 銅陵市新洲電子科技有限責任公司
• 主分類號: H01G4/015
• 分類號: H01G4/015;H01G4/33
• 代理公司: 合肥鼎途知識產權代理事務所(普通合伙) 34122
• 代理人: 王學勇

1.一種自愈性高方阻薄膜電容器，其特征在于，所述電容器內薄膜電極由一塊金屬化薄膜（1）分切而成，所述金屬化薄膜（1）包括基膜10，所述基膜（10）上均勻蒸鍍有一層Al層（20），所述Al層（20）上蒸鍍有一層截面為“Ω”形狀的Zn層（30），所述金屬化薄膜（1）兩側超出Al層（20）和Zn層30后形成空白區（11）。

2.如權利要求1所述的一種自愈性高方阻薄膜電容器，其特征在于，所述Zn層（30）中部設置有加厚區（31）。

3.如權利要求2所述的一種自愈性高方阻薄膜電容器，其特征在于，所述金屬化薄膜（1）以加厚區（31）為分界呈左右對稱，所述Zn層（30）兩側遠離加厚區（31）的位置厚度逐漸降低。

4.如權利要求3所述的一種自愈性高方阻薄膜電容器，其特征在于，所述金屬化薄膜（1）自加厚區（31）中心處分切成兩份，所述加厚區（31）分切為第一加厚區（31a）和第二加厚區（31b），所述Zn層（30）分切為第一Zn層（30a）和第二Zn層（30b），所述Al層（20）分切為第一Al層（20a）和第二Al層（20b），所述基膜（10）分切為第一基膜（10a）和第二基膜（10b），所述第一基膜（10a）一側具有第一空白區（11a），所述第二基膜（10b）一側具有第二空白區（11b）。

5.如權利要求4所述的一種自愈性高方阻薄膜電容器，其特征在于，所述第一基膜（10a）上靠近第一Al層（20a）和第一加厚區（31a）的位置焊接有第一電極引出端（40），所述第二基膜（10b）上靠近第二Al層（20b）和第二加厚區（31b）的位置焊接有第二電極引出端（41）。