[發明專利]一種半導體器件及其制備方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201610255203.4
• 申請日: 2016-04-22
• 公開（公告）號: CN107305899B
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 王偉;鄭超
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 高偉;馮永貞

本發明涉及一種半導體器件及其制備方法和電子裝置。所述方法包括：提供晶圓，在所述晶圓上形成有若干相互間隔的圖像傳感器器件；在所述晶圓和所述圖像傳感器器件的上方隔離地形成涂覆支撐結構，以在所述涂覆支撐結構與所述晶圓之間形成隔離空間，并且所述涂覆支撐結構中形成有孔結構；在所述涂覆支撐結構上涂覆干燥固化膠并填充所述孔結構；在所述孔結構的上方通過空氣噴槍將所述孔結構中的所述干燥固化膠噴射至所述晶圓上，以形成環繞所述圖像傳感器器件的保護環。所述方法避免了所述涂覆支撐結構(例如金屬濾網)與所述晶圓和所述圖形傳感器器件直接接觸，避免了工藝過程造成晶圓表面缺陷的問題，使CMOS圖像傳感器的性能和良率進一步提高。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種半導體器件及其制備方法和電子裝置。

背景技術

通常，圖像傳感器是將光學圖像轉換成電信號的半導體器件。圖像傳感器包括電荷耦合器件(CCD)和互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器。

由于CMOS圖像傳感器(CIS)具有改善的制造技術和特性，因此半導體制造技術各方面都集中于開發CMOS圖像傳感器。CMOS圖像傳感器利用CMOS技術制造，并且具有較低功耗，更容易實現高度集成，制造出尺寸更小的器件，因此，CMOS圖像傳感器廣泛的應用于各種產品，例如數字照相機和數字攝像機等。

在CMOS圖像傳感器中通常會形成圍壩膠(DAM)以保護所述濾光膜和所述CMOS器件，但是所述工藝過程造成晶圓表面缺陷非常高，使CMOS圖像傳感器的性能和良率受到很大影響。

因此，有必要提出一種新的CMOS圖像傳感器的制備方法，以解決現有的技術問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了克服目前存在的問題，本發明一方面提供了一種半導體器件的制備方法，所述方法包括：

提供晶圓，在所述晶圓上形成有若干相互間隔的圖像傳感器器件；

在所述晶圓和所述圖像傳感器器件的上方隔離地形成涂覆支撐結構，以在所述涂覆支撐結構與所述晶圓之間形成隔離空間，并且所述涂覆支撐結構中形成有孔結構；

在所述涂覆支撐結構上涂覆干燥固化膠并填充所述孔結構；

在所述孔結構的上方通過空氣噴槍將所述孔結構中的所述干燥固化膠噴射至所述晶圓上，以形成環繞所述圖像傳感器器件的保護環。

可選地，所述空氣噴槍的壓力為0.19～0.24MPa。

可選地，所述空氣噴槍的噴射直徑為180-220mm。

可選地，所述空氣噴槍的噴射速度為85～210ml/Min。

可選地，所述干燥固化膠包括圍壩膠。

可選地，所述涂覆支撐結構包括金屬濾網。

可選地，所述圖像傳感器器件至少包括濾光膜。

可選地，每個所述圖像傳感器器件包括若干相鄰設置的棱鏡和位于所述棱鏡下方的濾光膜。

本發明還提供了一種半導體器件，所述半導體器件通過上述方法制備得到。

本發明還提供了一種電子裝置，包括上述的半導體器件。