[發(fā)明專利]三維石墨烯之直接制備方法及其在超級電容器上之應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610252741.8 | 申請日: | 2016-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN107304046A | 公開(公告)日: | 2017-10-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 占華琳 | 申請(專利權(quán))人: | 占華琳 |
| 主分類號: | C01B32/186 | 分類號: | C01B32/186 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 334300 江西省上饒市橫峰*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 石墨 直接 制備 方法 及其 超級 電容器 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于納米材料(石墨烯)制造、及其在電池(超級電容器)應(yīng)用之領(lǐng)域。
背景技術(shù)
三維石墨烯是一種在表面積超大、具有三維立體結(jié)構(gòu)的其它材料(以下簡稱基材)上生長出石墨烯的材料。這種基材可以是多孔材料、多絨材料、或納米粉末狀材料。由于石墨烯強力依著于基材,因而其也具備基材的三維立體、表面積超大等特征。加之石墨烯具有高電子遷移率、化學(xué)惰性等特點,因此三維石墨烯是應(yīng)用于超級電容器的理想材料。
傳統(tǒng)的三維石墨烯制備方法包含多重復(fù)雜的步驟,并需要使用氧化石墨烯[1-6],而氧化石墨烯還需要使用化學(xué)方法還原。并且由此方法制備的三維石墨烯,其孔形狀不規(guī)則。另外還有一些使用傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積(CVD)制備的方法[3,4],這些方法需要使用金屬催化劑,并且還要在后續(xù)工序中將金屬刻蝕掉。因此發(fā)明一種直接制備三維石墨烯的方法就很重要。
多孔三氧化二鋁(Anodic Aluminum Oxide, 以下簡稱AAO)是一種發(fā)明于上世紀中葉的納米多孔材料,具有相當成熟的簡便制作技術(shù),價格低廉。雖然本發(fā)明所公開之制備方法可用于其它多孔材料、多絨材料、或納米粉末狀材料,但由于AAO孔徑可控、且分布均勻,具有超大表面積,因而本發(fā)明成果展示了AAO基材上生長的三維石墨烯。雖然以往已有人在AAO上生長高sp3成分的類金剛石膜[7-10],但從未有成功在AAO上生長高sp2成分石墨烯的案例。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開了一種直接制備高品質(zhì)三維石墨烯的方法。該方法不需要外加催化劑,制備成本低廉。其原理是通過石墨化(graphitize)在基材上生長的三維納米類金剛石膜(Diamond-Like-Carbon film, 簡稱DLC)或無定形碳膜(amorphous carbon film, 簡稱a-C)而得到三維石墨烯。
若使用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 簡稱PECVD)進行制備,且將沉積過程中基材的溫度控制在1200至1450℃之間,該石墨化過程可在三維DLC或三維a-C生長時幾乎同步進行,從而在幾分鐘內(nèi)便制得三維石墨烯。以下稱此法為方法1,如圖1(a)所示。需注意的是雖然本發(fā)明通過PECVD法制備三維石墨烯,但只要在沉積過程中基材的溫度控制在1200至1450℃之間,我們也可以通過傳統(tǒng)CVD法直接制備三維石墨烯。因為石墨化過程主要由溫度決定[11],等離子體雖然可以輔助該過程而使我們更快捷地制得高品質(zhì)三維石墨烯,但其卻并不是石墨化過程的決定因素。通過分析如圖1(d)所示的所得樣品的拉曼光譜,我們可以推斷出其晶粒大小約為幾納米,且拉曼譜中2D峰(位于2691 cm-1處)的半高全寬約為41.9cm-1(非常接近平面單層石墨烯)。因而通過該方法可制得高品質(zhì)的三維石墨烯。
若基材在PECVD的過程中溫度不高于900℃,則此過程只產(chǎn)生DLC或a-C。需要將得到的DLC或a-C在真空或含有氫氣的混合氣(如氫氣/氬氣混合氣,混合比例:5%氫氣+95%氬氣)中,使用電爐、電熱絲、或管式爐中進一步加熱至1200~1450℃間后退火,從而得到三維石墨烯。以下稱此法為方法2,如圖1(b)所示。需注意的是,類似于方法1,雖然方法2中的步驟1通過PECVD制得DLC或a-C,但也可通過傳統(tǒng)CVD法制成[7-10]。圖1(f)為方法2制得的三維石墨烯拉曼光譜。
方法1與方法2之步驟1的PECVD工藝參數(shù)相同。PECVD的工藝參數(shù)為:氫氣(H2): 0-2000 sccm(可調(diào),一般采用750 sccm);烷烴(如甲烷)、烯烴(如乙烯)、或炔烴(如乙炔)等:0-500 sccm(可調(diào),一般采用10 sccm);微波等離子體電源功率:50-5000瓦(可調(diào),一般采用1800瓦左右);氣壓:不高于300 Torr(可調(diào),一般采用80 Torr左右)。
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