[發明專利]三維石墨烯之直接制備方法及其在超級電容器上之應用在審
| 申請號： | 201610252741.8 | 申請日： | 2016-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN107304046A | 公開（公告）日： | 2017-10-31 |
| 發明（設計）人： | 占華琳 | 申請（專利權）人： | 占華琳 |
| 主分類號： | C01B32/186 | 分類號： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 334300 江西省上饒市橫峰*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維 石墨 直接 制備 方法 及其 超級 電容器 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備三維石墨烯的方法，其原理包括（1）使用具有納米結構的介電材料（如多孔三氧化二鋁等）或半導體材料（如納米硅粉末或納米金剛石粉末等）作為基材，（2）在基材上生長三維類金剛石膜或三維無定形碳膜（包括納米管），（3）將在基材上生長的三維類金剛石膜或三維無定形碳膜（包括納米管）等在同一生長工序中（或在下一道工序中）加熱至1000至2000℃之間后退火，原理（3）為此制備方法之特征。
2.權利要求1所述的原理（2）和原理（3）可使用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）或離子束沉積（IBD）在同一工序中實現，PECVD及IBD之工藝分別如說明書第[0009]及第[0010]段所述，其特征為主動控制基材溫度在1000至2000℃之間。
3.權利要求2所述的主動控制基材溫度的方法，可通過（4）控制基材位置使其不直接接觸PECVD或IBD器壁而增加其溫度，（5）在基材與PECVD或IBD器壁間放置其它材料而增加基材溫度，（6）使用輔助加熱手段（如電熱絲加熱等）增加基材溫度。
4.權利要求1所述之原理（3）可在與實現原理（2）不同的工序中進行，其特征為在真空或含有氫氣的混合氣環境中將通過原理（2）所制得的材料加熱至1000至2000℃之間后退火。
5.將聚苯胺（Polyaniline）附著于按權利要求1所述之方法制備的三維石墨烯，并將此材料作為超級電容器之電極。
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