[發(fā)明專利]用于紫外光發(fā)光二極管的基板及該基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610251235.7
• 申請日: 2016-04-21
• 公開（公告）號: CN107305918B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發(fā)明（設計）人: 張延瑜;李瑞評;郭浩中;黃嘉彥;劉哲宇
• 申請（專利權）人: 元鴻（山東）光電材料有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，包含有：

一基材，具有一表面，該表面形成有一微納米結(jié)構(gòu)；以及

一磊晶層，設置于該基材的該表面上且覆蓋該微納米結(jié)構(gòu)，該磊晶層至少包括一氮化鋁層，其中，該氮化鋁層中的碳元素含量至少為1×10¹²atom/cm³。

2.如權利要求1所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，其中該微納米結(jié)構(gòu)包含多個結(jié)構(gòu)，各該結(jié)構(gòu)的底部的最小寬度介于100～5000nm之間。

3.如權利要求2所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，其中各該結(jié)構(gòu)的高度或深度與其底部的最小寬度的比值為0.2以上。

4.如權利要求1所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，其中該磊晶層包含一氮氧化鋁界面層，該氮氧化鋁界面層覆蓋該微納米結(jié)構(gòu)且位于該氮化鋁層下方。

5.如權利要求4所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，其中該氮氧化鋁界面層的厚度為5nm以上。

6.如權利要求4所述用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，其中該氮化鋁層的厚度介于100～2000nm之間。

7.如權利要求1所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，其中該磊晶層的穿透差排的密度為1×10⁸/cm³以下。

8.如權利要求1所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板，其特征在于，其中該基材為藍寶石基材、硅基材、及碳化硅基材中的一種。

9.一種用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

A、提供一基材；

B、在該基材的一表面制作一微納米結(jié)構(gòu)；

C、在該微納米結(jié)構(gòu)上設置一磊晶層，該磊晶層至少包含一氮化鋁層；

D、將設置有該磊晶層的基材置于一氣氛中進行退火，其中該氣氛至少包含有一含碳元素的氣體，且退火的溫度為1500℃以上；

具有該微納米結(jié)構(gòu)的基材及該磊晶層形成用于紫外光發(fā)光二極管的基板。

10.如權利要求9所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，其中步驟B是在該基材上制作多個結(jié)構(gòu)，該些結(jié)構(gòu)構(gòu)成該微納米結(jié)構(gòu)，且各該結(jié)構(gòu)的底部的最小寬度介于100～5000nm之間。

11.如權利要求10所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，其中各該結(jié)構(gòu)的高度或深度與其底部的最小寬度的比值為0.2以上。

12.如權利要求9所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，其中步驟B中該氮化鋁層覆蓋于該微納米結(jié)構(gòu)上；步驟D中該氣氛包含有惰性氣體，且步驟D中包含控制退火的溫度以及該含碳元素的氣體與惰性氣體比例，以使該氮化鋁層反應而形成一氮氧化鋁界面層，該氮氧化鋁界面層構(gòu)成該磊晶層的一部分。

13.如權利要求12所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，其中該氮氧化鋁界面層的厚度為5nm以上。

14.如權利要求9所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，其中步驟C中，該氮化鋁層的厚度介于100～2000nm之間。

15.如權利要求9所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，步驟D中，該含碳元素的氣體為一氧化碳、二氧化碳、或烷類氣體。

16.如權利要求9所述的用于紫外光發(fā)光二極管的基板的制造方法，其特征在于，步驟D中，該氣氛更包含有氮氣、氬氣及氦氣中的至少一種。