[發明專利]用于紫外光發光二極管的基板及該基板的制造方法

有效

• 申請號: 201610251235.7
• 申請日: 2016-04-21
• 公開（公告）號: CN107305918B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 張延瑜;李瑞評;郭浩中;黃嘉彥;劉哲宇
• 申請（專利權）人: 元鴻（山東）光電材料有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

一種用于紫外光發光二極管的基板，由以下列步驟制造：在一基材的表面制作一微納米結構；于該微納米結構上設置一磊晶層，該磊晶層包含一氮化鋁層；將設置有該磊晶層的基材置于一氣氛中進行退火，其中該氣氛至少有一含有碳元素的氣體，且退火的溫度為1500℃以上；具有該微納米結構的基材及該磊晶層形成用于紫外光發光二極管的基板。從而，使磊晶層的穿透差排的密度降低，在后續制成紫外光發光二極管后，減少紫外光與差排缺陷復合的機會，增進發光效率。

技術領域

本發明與紫外光發光二極管有關；特別是指一種用于紫外光發光二極管的基板及該基板的制造方法。

背景技術

紫外光發光二極管可應用于醫療、生醫美容、殺菌及生物鑒定等領域。目前，紫外光發光二極管的基板主要有兩種，第一種基板是在一基材上成長氮化鋁磊晶層，以形成基板，但是，氮化鋁磊晶層與基材之間由于晶格常數不匹配，使得磊晶層的缺陷密度高，特別是穿透差排的密度，缺陷將會吸收紫外光，如此一來，將會影響紫外光二極管的發光效率，使得發光效率不佳。第二種基板是氮化鋁基板，氮化鋁基板的缺陷密度低，因此，以氮化鋁基板制作的紫外光發光二極管發光效率高且壽命長，雖以氮化鋁基板制作的紫外光發光二極管具有前述優點，但是，目前制造氮化鋁基板的技術難度高，使得氮化鋁基板的產能低，價格居高不下。所以，紫外光發光二極管礙于發光效率及價格的因素，其運用仍然無法普及。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種用于紫外光發光二極管的基板及該基板的制造方法，可以減少磊晶層的缺陷密度。

為達成上述目的，本發明提供的一種用于紫外光發光二極管的基板，包含有一基材與一磊晶層，其中，該基材具有一表面，該表面形成有一微納米結構；該磊晶層設置于該基材的該表面上且覆蓋該微納米結構，該磊晶層至少包括一氮化鋁層，其中，該氮化鋁層中的碳元素含量至少為1×10¹²atom/cm³。

本發明所提供用于紫外光發光二極管的基板的制造方法，包含下列步驟：A、提供一基材；B、在該基材的一表面制作一微納米結構；C、在該微納米結構上設置一磊晶層，該磊晶層包含一氮化鋁層；D、將設置有該磊晶層的基材置在一氣氛中進行退火，其中該氣氛至少包含有一含碳元素的氣體，且退火的溫度為1500℃以上；從而，具有該微納米結構的基材及該磊晶層形成用于紫外光發光二極管的基板。

本發明的效果在于，磊晶層經含碳元素的氣體或含碳元素的氣體與惰性氣體氣氛下退火后，可使磊晶層的穿透差排的密度降低，在后續制成紫外光發光二極管后，減少紫外光與差排缺陷復合的機會。此外，微納米結構讓紫外光可往背離該基材的方向反射，有效增進紫外光二極管的發光效率。

附圖說明

圖1本發明第一優選實施例用于紫外光發光二極管的基板的制造方法流程圖；

圖2為一示意圖，公開上述優選實施例的基材；

圖3為一示意圖，公開上述優選實施例具有微納米結構的基材；

圖4為一立體圖，公開上述優選實施例具有微納米結構的基材；

圖5為一示意圖，公開上述優選實施例的基板；

圖6為一示意圖，公開本發明第二優選實施例的基板；

圖7為一示意圖，公開本發明第三優選實施例具有微納米結構的基材；

圖8為一示意圖，公開本發明第四優選實施例具有微納米結構的基材；

圖9為一示意圖，公開本發明第五優選實施例具有微納米結構的基材；

圖10為一示意圖，公開本發明第六優選實施例具有微納米結構的基材；

圖11為一示意圖，公開本發明第七優選實施例具有微納米結構的基材。

【符號說明】