[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201610249027.3
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN105679707A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 田宗民
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝 置。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發展，諸如液晶顯示器(英文：LiquidCrystalDisplay； 簡稱：LCD)等顯示裝置廣泛應用于顯示領域。

LCD通常包括陣列基板，陣列基板包括襯底基板以及依次形成在襯底基板 上的柵極、柵絕緣層、有源層、源漏極金屬層、鈍化層和像素電極。其中，有 源層通過一次構圖工藝形成，在形成源漏極金屬層時，可以先在形成有有源層 的襯底基板上形成金屬材質層，然后通過一次構圖工藝對該金屬材質層進行處 理形成源漏極金屬層，在通過一次構圖工藝對金屬材質層進行處理的過程中， 需要對該金屬材質層進行刻蝕。相關技術中，為了避免刻蝕過程損傷有源層， 在形成源漏極金屬層之前，可以通過一次構圖工藝在有源層上形成阻擋層對有 源層進行保護，然后在形成阻擋層的襯底基板上形成源漏極金屬層。

但是，由于相關技術通過一次構圖工藝形成阻擋層(也即是，有源層和阻 擋層分別通過一次構圖工藝形成)，因此陣列基板的制造過程額外增加了一次 構圖工藝(額外增加了阻擋層的形成工藝)，影響了生產效率，導致陣列基板 的產能較低。

發明內容

為了解決相關技術中存在的問題，本發明提供一種陣列基板及其制造方法、 顯示裝置。所述技術方案如下：

第一方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述方法包括：

在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；

在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上依次形成有源層薄膜和阻擋層薄膜；

通過一次構圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進行處理，形成有 源層和阻擋層。

可選地，所述通過一次構圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進行 處理，形成有源層和阻擋層，包括：

在形成有所述阻擋層薄膜的襯底基板上形成光刻膠層；

對形成有所述光刻膠層的襯底基板依次進行曝光、顯影、刻蝕，形成依次 疊加的有源層、阻擋層圖形和光刻膠圖形，所述有源層、所述阻擋層圖形和所 述光刻膠圖形的形狀相同；

對所述光刻膠圖形進行灰化處理，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區域；

對所述待刻蝕區域進行刻蝕，形成所述阻擋層，露出所述有源層上用于與 待形成的源極和漏極搭接的臺階結構的臺階面；

剝離所述光刻膠層上剩余的光刻膠。

可選地，所述對所述光刻膠圖形進行灰化處理，露出所述阻擋層圖形的待 刻蝕區域，包括：

采用至少兩種氣體，在預設灰化功率、預設氣體壓力、預設灰化速率下， 對所述光刻膠圖形灰化預設時長，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區域。

可選地，所述至少兩種氣體包括：氧氣和六氟化硫氣體。

可選地，所述預設灰化功率的取值范圍為：4500瓦特～5500瓦特。

可選地，所述預設氣體壓力的取值范圍為：150毫托～200毫托。

可選地，所述預設灰化速率為：140埃每秒。

可選地，所述預設時長的取值范圍為：51秒～74秒。

可選地，所述臺階結構的臺階面的寬度的取值范圍為：1.0微米～1.2微米。

可選地，在所述通過一次構圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進 行處理，形成有源層和阻擋層之后，所述方法還包括：

在形成有所述阻擋層的襯底基板上依次形成源漏極金屬層、鈍化層和像素 電極；

其中，所述有源層包括用于與待形成的源極和漏極搭接的臺階結構，所述 源漏極金屬層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極分別搭接在所述臺階結構 上，且所述源極和所述漏極不接觸，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極 通過所述過孔與所述漏極接觸。

可選地，所述源漏極金屬層的厚度的取值范圍為：2000埃～3500埃；

所述鈍化層的厚度的取值范圍為：2500埃～6000埃。

第二方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：襯底基板，

所述襯底基板上依次形成有柵極、柵絕緣層、有源層、阻擋層、源漏極金 屬層、鈍化層和像素電極；