[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201610249027.3
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN105679707A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 田宗民
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板上依次形成柵極和柵絕緣層；

在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上依次形成有源層薄膜和阻擋層薄膜；

通過一次構圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進行處理，形成有 源層和阻擋層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過一次構圖工藝對所 述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進行處理，形成有源層和阻擋層，包括：

在形成有所述阻擋層薄膜的襯底基板上形成光刻膠層；

對形成有所述光刻膠層的襯底基板依次進行曝光、顯影、刻蝕，形成依次 疊加的有源層、阻擋層圖形和光刻膠圖形，所述有源層、所述阻擋層圖形和所 述光刻膠圖形的形狀相同；

對所述光刻膠圖形進行灰化處理，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區域；

對所述待刻蝕區域進行刻蝕，形成所述阻擋層，露出所述有源層上用于與 待形成的源極和漏極搭接的臺階結構的臺階面；

剝離所述光刻膠層上剩余的光刻膠。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述對所述光刻膠圖形進行灰化處理，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區域， 包括：

采用至少兩種氣體，在預設灰化功率、預設氣體壓力、預設灰化速率下， 對所述光刻膠圖形灰化預設時長，露出所述阻擋層圖形的待刻蝕區域。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述至少兩種氣體包括：氧氣和六氟化硫氣體。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述預設灰化功率的取值范圍為：4500瓦特～5500瓦特。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述預設氣體壓力的取值范圍為：150毫托～200毫托。

7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述預設灰化速率為：140埃每秒。

8.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述預設時長的取值范圍為：51秒～74秒。

9.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

所述臺階結構的臺階面的寬度的取值范圍為：1.0微米～1.2微米。

10.根據權利要求1至9任一所述的方法，其特征在于，在所述通過一次 構圖工藝對所述有源層薄膜和所述阻擋層薄膜進行處理，形成有源層和阻擋層 之后，所述方法還包括：

在形成有所述阻擋層的襯底基板上依次形成源漏極金屬層、鈍化層和像素 電極；

其中，所述有源層包括用于與待形成的源極和漏極搭接的臺階結構，所述 源漏極金屬層包括源極和漏極，所述源極和所述漏極分別搭接在所述臺階結構 上，且所述源極和所述漏極不接觸，所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極 通過所述過孔與所述漏極接觸。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，

所述源漏極金屬層的厚度的取值范圍為：2000埃～3500埃；

所述鈍化層的厚度的取值范圍為：2500埃～6000埃。

12.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：襯底基板，

所述襯底基板上依次形成有柵極、柵絕緣層、有源層、阻擋層、源漏極金 屬層、鈍化層和像素電極；

其中，所述有源層包括臺階結構，所述源漏極金屬層包括源極和漏極，所 述源極和所述漏極分別搭接在所述臺階結構上，且所述源極和所述漏極不接觸， 所述鈍化層上形成有過孔，所述像素電極通過所述過孔與所述漏極接觸；

所述臺階結構的臺階面的寬度的取值范圍為：1.0微米～1.2微米；

所述源漏極金屬層的厚度的取值范圍為：2000埃～3500埃；

所述鈍化層的厚度的取值范圍為：2500埃～6000埃。

13.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括：權利要求12所述的 陣列基板。