[發明專利]封裝基板、封裝結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201610248694.X | 申請日: | 2016-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN107305848B | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 劉艷蘭 | 申請(專利權)人: | 碁鼎科技秦皇島有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498;H05K1/02 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 薛曉偉 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
本發明涉及一種封裝基板,包括內層線路、第一及第二增厚導線、第一及第二介電層、第一及第二外層線路。內層線路包括接地線及位于其間的信號線。第一及第二增厚導線對應設于接地線的相背兩側。第一介電層覆蓋第一增層導線及內層線路。第一外層線路位于第一介電層上。第一外層線路包括通過第一介電層內的第一導電溝槽與第一增厚導線連接的第一電磁屏蔽區。第二介電層覆蓋第二增厚導線、內層線路及第一介電層。第二外層線路位于第二介電層上。第二外層線路包括通過第二介電層內的第二導電溝槽與第二增厚導線連接的第二電磁屏蔽區。第一及第二電磁屏蔽區、第一及第二導電溝槽、第一及第二增厚導線及接地線圍成圍繞信號線的閉合的屏蔽空間。
技術領域
本發明涉及一種封裝基板、封裝基板制作方法、封裝結構及封裝結構制作方法。
背景技術
隨著電子通訊產品向著高頻、高速及薄型化方向發展,業內對信號傳輸損耗的控制要求越來越高。目前,通常采用在信號線上下兩側設置電磁屏蔽層,在信號線的兩側形成接地線,及在上下兩側的介電層中設置導電溝槽將上下兩側的電磁屏蔽層電導通以此來實現屏蔽可能的電磁干擾。然而,由于導電溝槽直接設置在接地線上,該導電溝槽一般較深,在電鍍填充形成該導電溝槽時,易產生氣泡或裂紋。
發明內容
有鑒于此,有必要提供一種能夠解決上述技術問題的、封裝結構、封裝基板制作方法及封裝結構制作方法。
一種封裝基板制作方法,包括步驟:
將內層線路形成在一承載金屬層上,并在所述內層線路上形成第一增厚導線,所述內層線路包括接地線及位于所述接地線之間的信號線,所述第一增厚導線對應形成在所述接地線上;
形成第一外層基板,所述第一外層基板覆蓋所述內層線路及第一增厚導線及自所述內層線路及第一增厚導線之間露出的承載金屬層,所述第一外層基板包括背離所述內層線路的第一外層銅箔;
將所述承載金屬層制作形成第二增厚導線,所述第二增厚導線對應形成在所述接地線上,且與所述第一增厚導線相背;
形成第二外層基板,所述第二外層基板覆蓋所述第二增厚導線、自所述第二增厚導線露出的內層線路及第一外層基板,所述第二外層基板包括背離所述內層線路的第二外層銅箔;及
在所述第一及第二外層基板內分別形成第一及第二導電溝槽,并分別將所述第一外層銅箔及第二外層銅箔制成第一外層線路及第二外層線路,所述第一導電溝槽與所述第一增厚導線一一對應連接,所述第二導電溝槽與所述第二增厚導線一一對應連接,所述第一外層線路包括與所述第一導電溝槽連接的第一電磁屏蔽區,所述第二外層線路包括與所述第二導電溝槽連接的第二電磁屏蔽區,所述第一電磁屏蔽區、所述第一導電溝槽、所述第一增厚導線、所述接地線、所述第二增厚導線、所述第二導電溝槽、所述第二電磁屏蔽區圍成閉合的屏蔽空間,所述信號線位于所述屏蔽空間內。
一種封裝結構制作方法,包括步驟:將內層線路形成在一承載金屬層上,并在所述內層線路上形成第一增厚導線,所述內層線路包括接地線及位于所述接地線之間的信號線,所述第一增厚導線對應形成在所述接地線上;
形成第一外層基板,所述第一外層基板覆蓋所述內層線路及第一增厚導線及自所述內層線路及第一增厚導線之間露出的承載金屬層,所述第一外層基板包括背離所述內層線路的第一外層銅箔;
將所述承載金屬層制作形成第二增厚導線,所述第二增厚導線對應形成在所述接地線上,且與所述第一增厚導線相背;
形成第二外層基板,所述第二外層基板覆蓋所述第二增厚導線、自所述第二增厚導線露出的內層線路及第一外層基板,所述第二外層基板包括背離所述內層線路的第二外層銅箔;及
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





