[發明專利]封裝基板、封裝結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201610248694.X | 申請日: | 2016-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN107305848B | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 劉艷蘭 | 申請(專利權)人: | 碁鼎科技秦皇島有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498;H05K1/02 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 薛曉偉 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種封裝基板制作方法,包括步驟:
將內層線路形成在一承載金屬層上,并在所述內層線路上形成第一增厚導線,所述內層線路包括接地線及位于所述接地線之間的信號線,所述第一增厚導線對應形成在所述接地線上;
形成第一外層基板,所述第一外層基板覆蓋所述內層線路及第一增厚導線及自所述內層線路及第一增厚導線之間露出的承載金屬層,所述第一外層基板包括背離所述內層線路的第一外層銅箔;
將所述承載金屬層制作形成第二增厚導線,所述第二增厚導線對應形成在所述接地線上,且與所述第一增厚導線相背;
形成第二外層基板,所述第二外層基板覆蓋所述第二增厚導線、自所述第二增厚導線露出的內層線路及第一外層基板,所述第二外層基板包括背離所述內層線路的第二外層銅箔;及
在所述第一及第二外層基板內分別形成第一及第二導電溝槽,并分別將所述第一外層銅箔及第二外層銅箔制成第一外層線路及第二外層線路,所述第一導電溝槽與所述第一增厚導線一一對應連接,所述第二導電溝槽與所述第二增厚導線一一對應連接,所述第一外層線路包括與所述第一導電溝槽連接的第一電磁屏蔽區,所述第二外層線路包括與所述第二導電溝槽連接的第二電磁屏蔽區,所述第一電磁屏蔽區、所述第一導電溝槽、所述第一增厚導線、所述接地線、所述第二增厚導線、所述第二導電溝槽、所述第二電磁屏蔽區圍成閉合的屏蔽空間,所述信號線位于所述屏蔽空間內。
2.如權利要求1所述的封裝基板制作方法,其特征在于,所述封裝基板制作方法還包括在所述第一外層線路上形成第一防焊層及在所述第二外層線路上形成第二防焊層。
3.如權利要求1所述的封裝基板制作方法,其特征在于,將內層線路形成在一承載金屬層上,并在所述內層線路上形成第一增厚導線的步驟包括子步驟:
首先,提供一個承載板,包括層疊的承載絕緣層及所述承載金屬層;
接著,在所述承載金屬層上形成圖案化的第一內層電鍍阻擋層,部分所述承載金屬層自所述第一內層電鍍阻擋層露出;
接著,在自所述第一內層電鍍阻擋層露出的部分所述承載金屬層上電鍍填充形成所述內層線路;
接著,在所述內層線路及所述第一內層電鍍阻擋層上形成圖案化結構的第二內層電鍍阻擋層,所述接地線自所述第二內層電鍍阻擋層露出;
接著,在自所述第二內層電鍍阻擋層露出的所述接地線上電鍍填充形成所述第一增厚導線;
最后,一并移除所述第一內層電鍍阻擋層及第二內層電鍍阻擋層。
4.如權利要求3所述的封裝基板制作方法,其特征在于,在自所述第一內層電鍍阻擋層露出的部分所述承載金屬層上電鍍填充形成所述內層線路的步驟包括子步驟:
首先,在所述承載金屬層上形成抗蝕層;
接著,在所述抗蝕層上電鍍形成電鍍層,從而得到所述內層線路。
5.如權利要求1所述的封裝基板制作方法,其特征在于,在所述第一及第二外層基板內分別形成第一及第二導電溝槽,并分別將所述第一及第二外層銅箔制成第一及第二外層線路的步驟包括子步驟:
首先,在所述第一外層基板內形成第一溝槽,并在所述第二外層基板內形成第二溝槽,所述第一增厚導線自所述第一溝槽露出,所述第二增厚導線自所述第二溝槽露出;
接著,在第一外層銅箔上形成圖案化的第一外層電鍍阻擋層及在所述第二外層銅箔上形成圖案化的第二外層電鍍阻擋層,所述第一溝槽及部分所述第一外層銅箔自所述第一外層電鍍阻擋層露出,所述第二溝槽及部分所述第二外層銅箔自所述第二外層電鍍阻擋層露出;
接著,電鍍填充所述第一及第二溝槽形成所述第一及第二導電溝槽,并在露出的所述第一外層銅箔上形成第一外層電鍍層,及在露出的第二外層銅箔上形成第二外層電鍍層;
最后,移除所述第一及第二外層電鍍阻擋層及被所述第一外層電鍍阻擋層遮蔽的第一外層銅箔及被所述第二外層電鍍阻擋層遮蔽的第二外層銅箔,得到所述第一及第二外層線路。
6.如權利要求5所述的封裝基板制作方法,其特征在于,在第一外層銅箔上形成圖案化的第一外層電鍍阻擋層及在所述第二外層銅箔上形成圖案化的第二外層電鍍阻擋層之前,所述封裝基板制作方法還包括在所述第一溝槽、第一外層銅箔、第二溝槽及第二外層銅箔表面形成電鍍種子層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





