[發明專利]晶圓鍵合后分離的方法有效
| 申請號: | 201610247519.9 | 申請日: | 2016-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN105789059B | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發明(設計)人: | 唐昊 | 申請(專利權)人: | 浙江中納晶微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 李迎春 |
| 地址: | 315105 浙江省寧波*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓鍵合后 分離 方法 | ||
本發明提供一種晶圓鍵合后分離的方法,它包括以下步驟:步驟一、將鍵合后的晶圓的載片面朝上放置,然后利用工具破壞載片;步驟二、將破壞后的載片取走,剩下帶有隔離膜和鍵合膠的晶圓;步驟三、撕掉隔離膜,剩下鍵合膠和晶圓,然后清洗鍵合膠,完成晶圓的分離。采用上述方法,雖然破壞了載片,但是載片的成本要低很多,在可接受范圍之內,而且分離的裝置會非常簡單,裝置的成本會大大降低,而且不需要對準,那么花費的時間也會降低很多,提高了生產效率。
技術領域:
本發明涉及微電子技術領域,具體講是一種晶圓鍵合后分離的方法。
背景技術:
隨著人們對電子產品的要求朝著小型化的方向發展,電子芯片也朝向越來越薄的方向發展,但是以硅作為材料的晶圓的厚度如果要減薄至100微米或以下時,非常容易發生碎片、或者是在對晶圓做處理時由于應力導致晶圓彎曲變形等,無法對這種超薄晶圓進行直接加工處理。因此,為了能加工處理這類超薄晶圓,需要將這種超薄的晶圓首先與一載片臨時鍵合,鍵合之后,晶圓與載片粘節為一體,就可以對晶圓進行減薄、TSV的制造、再布線層的制造、形成內部互連等工藝制作。然后再將晶圓與載片進行分離,并對減薄后的晶圓進行清洗、切割等工藝,完成對這種超薄的晶圓的加工工藝。
目前,公開號為CN104485294A的專利申請公開了一種晶圓鍵合方法,這種方法是在載片上做表面處理,形成一層隔離膜,隔離膜與載片之間的粘接度適中,在不故意去撕的情況下,薄膜不會從載片上脫離,但是當施力撕扯時,可將薄膜從載片上剝離,然后鍵合時將帶有隔離膜的載片的正面與晶圓之間涂覆鍵合膠,將晶圓和載片鍵合在一起,分離時先在鍵合后晶圓的側面的隔離膜和載片之間分出一定的縫隙,然后采用真空吸盤吸附在載片背面,施力將載片從隔離膜上剝離。采用這種分離方法雖然比現有技術方便,但是仍然需要通過吸盤施力將載片從隔離膜上剝離,操作還是麻煩,而且如果要適用于工業化生產還需要機械手,結構復雜,成本較高。
為此,公開號為CN104979262A的專利申請又提出了一種晶圓鍵合后分離的方法,它采用氣流發生裝置制造出朝向晶圓和載片鍵合的結合處的氣流,通過氣流使晶圓和載片分離。采用這種方式,需要將氣嘴對準晶圓和載片的結合處,而且為了使晶圓和載片更容易分離,一般還會在晶圓和載片的結合處的隔離膜制造出一個縫隙,然后通過氣流對著縫隙吹氣,使得晶圓和載片更容易分離,采用這種結構,需要一氣流發生裝置,仍然會比較復雜,而且如果要制造縫隙或者使氣嘴對準晶圓和載片的結合處需要比較精密的對準設備,成本仍然比較高。
發明內容:
本發明解決的技術問題是,克服現有的技術缺陷,提供一種采用設備簡單、分離簡單而且成本較低的晶圓鍵合后分離的方法。
本發明提供的技術方案是:本發明提供一種晶圓鍵合后分離的方法,它包括以下步驟:
步驟一、將鍵合后的晶圓的載片面朝上放置,然后利用工具破壞載片;
步驟二、將破壞后的載片取走,剩下帶有隔離膜和鍵合膠的晶圓;
步驟三、撕掉隔離膜,剩下鍵合膠和晶圓,然后清洗鍵合膠,完成晶圓的分離。
采用上述方法后,利用破壞載片的方式來分離載片和晶圓,采用這種方式,需要破壞載片,由于載片與隔離膜之間的粘合力較弱,然后將破壞后的載片從晶圓上拿走,拿走之后,就可以直接將隔離膜從晶圓上撕下來,就剩下鍵合膠和晶圓了,此時清洗鍵合膠時,一般浸泡的方式清洗鍵合膠,由于鍵合膠的一面暴露,因此鍵合膠與清洗液可以充分接觸,清洗效率比現有技術要高很多。采用上述方法,雖然破壞了載片,但是載片的成本要低很多,在可接受范圍之內,而且分離的裝置會非常簡單,裝置的成本會大大降低,而且不需要對準,那么花費的時間也會降低很多,提高了生產效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





