[發(fā)明專利]晶圓鍵合后分離的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610247519.9 | 申請日： | 2016-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN105789059B | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 唐昊 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江中納晶微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315105 浙江省寧波*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓鍵合后 分離 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種晶圓鍵合后分離的方法，其特征在于：它包括以下步驟：
步驟一、將鍵合后的晶圓的載片面朝上放置，然后利用工具破壞載片；
步驟二、將破壞后的載片取走，剩下帶有隔離膜和鍵合膠的晶圓；
步驟三、撕掉隔離膜，剩下鍵合膠和晶圓，然后清洗鍵合膠，完成晶圓的分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合后分離的方法，其特征在于：所述步驟一中，所述破壞載片是采用刀具將載片從中間切割開，在載片的中間切出開口。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
