[發明專利]一種頻分復用無線通信系統

在審

• 申請號: 201610246276.7
• 申請日: 2016-04-20
• 公開（公告）號: CN105789191A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 黃敬馨;章國豪;區力翔;蔡秋富;余凱;李思臻
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H04B1/40;H01L23/367;H01L23/10
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 劉媖

技術領域

本發明涉及一種頻分復用無線通信系統。

背景技術

在W-CDMA和LTE-FDD這些頻分復用無線通信系統中，發射機和接收機同時工作，來自功放的接收帶內噪聲會影響接收機的靈敏度。雖然通過天線轉換開關將接收鏈路和發射鏈路隔離開來，但是要利用天線轉換開關在特定的帶寬內實現足夠的隔離效果和在功放到天線的路徑中有低的插入損耗是很難的。在WCDMA通信協議中，有一些帶的接收頻率和發送頻率相離得很近。例如在Band11，發送頻率在1427.9-1447.9MHz，接收頻率在1475.9-1495.9MHz，它們之間的間隔只有48MHz這么小。在這樣的情況下，天線轉換開關的隔離能力沒有提高時，帶內噪聲將會增多。帶內噪聲的增多會嚴重影響低噪聲放大器的性能。所以說在頻分復用系統中，帶內噪聲問題變得更加重要。

在蜂窩通信系統中，被3GPP（第三代伙伴計劃協議）所定義的頻帶越來越多。為了滿足移動數據通信的迅速發展，LTE（長期演進技術）已經開始覆蓋世界。現在手機上的射頻前端模組包括了超過十個的射頻收發鏈路，而在不久的未來，射頻收發鏈路的數目將是現在的兩倍。由于射頻收發鏈路的數量眾多，再加之現在的3G和4G系統，主要頻帶上都是采用頻分復用系統，當發送頻率與接收頻率相近時，對于帶內噪聲的影響就會很大。現有的對帶內噪聲的解決方法一般有兩種，一是改進天線轉換開關，以提升它的隔離能力，使得各鏈路之間的影響降低。二是通過在接收鏈路上設計電感-電容陷阱電路，減低在某個頻帶內的帶內噪聲。這兩種方法都能使得帶內噪聲減低。現有解決帶內噪聲的方法，無論是設計新的天線轉換開關，還是設計電感-電容陷阱電路，都會使得設計的復雜性，增加電路設計的難度。再者由于電路設計的難度增加，再有經驗的工程師都不能確保流片的質量，這無疑會增加流片的次數，從而增加制作成本。同時電路復雜程度的增加也會帶來一定的不穩定性。

發明內容

為了解決現有技術存在的不足，本發明的目的是提供一種增加散熱效果以降低熱噪聲的頻分復用無線通信系統。

為實現上述目的，本發明所采用的技術方案是：

一種頻分復用無線通信系統，包括電源、天線、頻分復用無線通信電路板、功率放大模組，電源、天線和功率放大模組都設在頻分復用無線通信電路板上且與頻分復用無線通信電路板電連接，所述功率放大模組包括功率放大芯片、控制芯片和開關芯片，還包括導熱墊片和射頻屏蔽散熱罩，導熱墊片設在功率放大芯片、控制芯片或開關芯片的頂部，用以使功率放大芯片、控制芯片和開關芯片的頂面在同一平面上，所述導熱墊片與功率放大芯片、控制芯片或開關芯片之間設有導熱膜，射頻屏蔽散熱罩將功率放大模組罩住，所述導熱墊片、功率放大芯片、控制芯片或開關芯片與射頻屏蔽散熱罩的頂面之間設有導熱膜。

進一步地，所述功率放大芯片采用砷化鎵材料、異質結雙極晶體管的功放芯片；所述控制芯片采用硅材料、互補金屬氧化物半導體的控制器芯片；所述開關芯片采用砷化鎵材料、高電子遷移率晶體管的開關器芯片。

進一步地，所述導熱墊片為銅片或硅片。

進一步地，所述導熱膜由環氧樹脂材料制成。

本發明的有益效果：由本發明是通過現有的封裝技術所做出的改進，沒有改變電路的復雜性，確保了制作的穩定性。本發明是通過封裝的方法為低噪聲放大器增加一條散熱路徑，使得溫度降低，從而減少熱噪聲。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細說明：

圖1為本發明的電路結構圖；

圖2為圖1所示功率放大模組的示意圖。

圖中：1、頻分復用無線通信電路板；2、電源；3、天線；4、功率放大模組；5、功率放大芯片；6、控制芯片；7、開關芯片；8、導熱墊片；9、射頻屏蔽散熱罩；10、導熱膜；11、導熱膜。

具體實施方式