[發明專利]芯片封裝體及其制造方法有效

申請號：	201610244599.2	申請日：	2016-04-19
公開（公告）號：	CN106082110B	公開（公告）日：	2017-10-24
發明（設計）人：	A·德厄;T·基爾格;D·邁爾;M·梅納特;F·X·米爾鮑爾;D·波爾沃爾;J·瓦格納	申請（專利權）人：	英飛凌科技股份有限公司
主分類號：	B81C1/00	分類號：	B81C1/00;B81B7/00
代理公司：	永新專利商標代理有限公司72002	代理人：	周家新
地址：	德國瑙伊***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	芯片封裝及其制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明大體涉及一種制造芯片封裝體的方法并涉及一種芯片封裝體。更具體地，本發明涉及一種包括具有腔的芯片的芯片封裝體。所述腔通向芯片的第一主面。

背景技術

在封裝過程中，腔可能會無意地被封裝材料填充。此外，限界腔的結構可能會被損壞。這在腔被機械易碎的結構所限界的情況下尤其是一個問題。

由于這個和其它原因，本發明是很有必要的。

發明內容

本發明提供了一種制造芯片封裝體的方法，該方法包括：在第一晶片上提供多個芯片，所述芯片中的每個均包括第一主面和腔，所述腔包括通向所述第一主面的開口；臨時地填充或蓋住所述腔；然后單片化所述芯片；將單片化的芯片嵌設到封裝材料中；然后使所述腔重新暴露。

根據本發明的一優選實施例，所述芯片中的每個均具有與所述第一主面相反的第二主面，并且所述腔中的每個均在第二主面處由機械易碎的結構限界。

根據本發明的一優選實施例，所述機械易碎的結構包括下述結構中的一種：微機電結構、微光學機械結構、薄型集成電路、豎直式半導體部件。

根據本發明的一優選實施例，臨時蓋住所述腔的覆蓋部包括第二晶片。

根據本發明的一優選實施例，臨時蓋住所述腔的覆蓋部包括剛性箔。

根據本發明的一優選實施例，所述覆蓋部是粘性接合到所述第一晶片上的。

根據本發明的一優選實施例，，所述腔在真空下被蓋住。

根據本發明的一優選實施例，所述腔于特定的氣壓下被蓋住，該氣壓適于所述芯片在進一步的處理過程中所要承受的壓力。

根據本發明的一優選實施例，所述腔在被蓋住之前被填充以液體。

根據本發明的一優選實施例，所述腔的重新暴露是通過磨削處理來實現的。

根據本發明的一優選實施例，所述封裝材料覆蓋所述覆蓋部并且所述磨削處理對所述封裝材料和所述覆蓋部進行磨削。

根據本發明的一優選實施例，所述腔填充以填充材料，所述填充材料能夠從所述腔中選擇性地去除。

根據本發明的一優選實施例，所述填充材料是水溶性材料和可選擇性蝕刻材料中的一種。

根據本發明的一優選實施例，所述填充材料具有與所述第一晶片的熱膨脹系數不同的熱膨脹系數。

根據本發明的一優選實施例，所述方法還包括在重新暴露所述腔之后蝕刻所述第一晶片。

根據本發明的一優選實施例，蝕刻所述腔的底部和所述第一晶片的環繞所述腔的上表面。

根據本發明的另一方面，本發明提供了一種芯片封裝體，所述芯片封裝體包括：芯片，所述芯片具有第一主面和與所述第一主面相反的第二主面，所述芯片具有第一厚度；腔，所述腔在所述芯片的第一主面處敞開并且至少部分地延伸穿過所述芯片；包圍所述芯片的封裝材料，所述封裝材料具有比所述第一厚度更厚的第二厚度并對所述腔的第二部分進行限界。

根據本發明的一優選實施例，所述腔在所述芯片的第二主面處由機械易碎的結構限界。

根據本發明的一優選實施例，所述封裝體還包括：蓋住所述腔的開口端的蓋部，所述蓋部布置于所述封裝材料上。

根據本發明的一優選實施例，所述芯片是MEMS芯片和MOEMS芯片中的一種。

根據本發明的一優選實施例，所述芯片是麥克風芯片。

附圖說明

附圖被包含以提供對實施例的進一步理解并且包含于并組成了本說明的一部分。附圖示出了實施例并且和本說明書一起來說明各實施例的原理。當通過參考以下詳細說明會更好地理解其它實施例和各實施例的許多預期優點，從而可以容易意識到其它實施例和各實施例的許多預期優點。

圖1示出根據本發明的第一晶片的剖視圖。

圖2示意性示出根據本發明的第一晶片的俯視圖。

圖3A-3I示意性示出根據第一實施例的制造微機電芯片封裝體的方法。

圖4示意性示出根據本發明的微機電芯片封裝體的剖視圖。

圖5示意性示出根據本發明的微機電芯片封裝體的俯視圖。

圖6示意性示出根據第二實施例的第一晶片的剖視圖。