[發(fā)明專利]芯片封裝體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610244599.2
• 申請日: 2016-04-19
• 公開（公告）號: CN106082110B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·德厄;T·基爾格;D·邁爾;M·梅納特;F·X·米爾鮑爾;D·波爾沃爾;J·瓦格納
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002
• 代理人: 周家新

1.一種制造芯片封裝體的方法，該方法包括：

在第一晶片上提供多個芯片，所述芯片中的每個均包括第一主面和腔，所述腔包括通向所述第一主面的開口；

臨時地填充或蓋住所述腔；

然后單片化所述芯片；

將單片化的芯片嵌設(shè)到封裝材料中；

然后使所述腔重新暴露。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片中的每個均具有與所述第一主面相反的第二主面，并且所述腔中的每個均在第二主面處由機械易碎的結(jié)構(gòu)限界。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述機械易碎的結(jié)構(gòu)包括下述結(jié)構(gòu)中的一種：微機電結(jié)構(gòu)、微光學(xué)機械結(jié)構(gòu)、薄型集成電路、豎直式半導(dǎo)體部件。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，臨時蓋住所述腔的覆蓋部包括第二晶片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，臨時蓋住所述腔的覆蓋部包括剛性箔。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述覆蓋部是粘性接合到所述第一晶片上的。

7.根據(jù)權(quán)利要求2、3、6中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔在真空下被蓋住。

8.根據(jù)權(quán)利要求2、3、6中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔于特定的氣壓下被蓋住，該氣壓適于所述芯片在進一步的處理過程中所要承受的壓力。

9.根據(jù)權(quán)利要求2、3、6中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔在被蓋住之前被填充以液體。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述腔的重新暴露是通過磨削處理來實現(xiàn)的。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述封裝材料覆蓋所述覆蓋部并且所述磨削處理對所述封裝材料和所述覆蓋部進行磨削。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔填充以填充材料，所述填充材料能夠從所述腔中選擇性地去除。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述填充材料是水溶性材料和可選擇性蝕刻材料中的一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述填充材料具有與所述第一晶片的熱膨脹系數(shù)不同的熱膨脹系數(shù)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至3、6、10至14中任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在重新暴露所述腔之后蝕刻所述第一晶片。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述腔的底部和所述第一晶片的環(huán)繞所述腔的上表面被蝕刻掉。

17.一種芯片封裝體，所述芯片封裝體包括：

-芯片，所述芯片具有第一主面和與所述第一主面相反的第二主面，所述芯片具有第一厚度；

-腔，所述腔被分成第一部分和第二部分，且在所述芯片的第一主面處敞開，而且至少部分地延伸穿過所述芯片；

-包圍所述芯片的封裝材料，所述封裝材料具有比所述第一厚度更厚的第二厚度并對所述第二部分進行限界。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的封裝體，其特征在于，所述腔在所述芯片的第二主面處由機械易碎的結(jié)構(gòu)限界。

19.權(quán)利要求17或18所述的封裝體，其特征在于，所述封裝體還包括：

-蓋住所述腔的開口端的蓋部，所述蓋部布置于所述封裝材料上。

20.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的封裝體，其特征在于，所述芯片是MEMS芯片和MOEMS芯片中的一種。

21.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的封裝體，其特征在于，所述芯片是麥克風(fēng)芯片。